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BORN(伯恩半导体)

网址： http://www.born-tw.com/

伯恩半导体（深圳）有限公司（BORNSEMI）是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司，是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业，是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。 BORN专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售，始终以国际一流的电子技术为目标进行规划、研发和生产。公司产品包括：保护器件（TVS、ESD、TSS）功率器件（MOS、SKY、DIODE、TRANSISTOR），驱动IC，接口芯片等。BORN拥有天津生产基地（与中科院微电子所合资），河南生产基地（晶圆制造与封测），从晶圆设计，流片到封装测试，BORN力求产品品质的高可靠性，打造全产业链闭环。以形成功率类与保护类两大系统产品，品质已达到国际先进水平，特别是我公司低电容系列的半导体保护器件，已拥有自主的知识产权与专利体系。作为过流过压器件领域的行业领先者，我们的产品几乎是所有使用电能的产品不可缺少的组成部分，包括：汽车车上电子系统、交通信号、设备通信终端、通讯设备家用,工用电器、电力、电源设备、电源输入端的电子线路防护等。

类目：

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封装：

X1-SON-2(0.6x1)

DO-201(DO-201AE)

DFN1710-6(1x1.7)

更多

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符合条件商品：共1410件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

S2M SMB 品牌: BORN(伯恩半导体) 封装: SMB(DO-214AA) 描述: 独立式正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@1kV 类目: 通用二极管编号: 11867408 详细: 数据手册 1+: ￥0.2314 10+: ￥0.1874 30+: ￥0.1654 300+: ￥0.1365 600+: ￥0.1233 900+: ￥0.1167 库存：2297 个个总额:￥0

M1 品牌: BORN(伯恩半导体) 封装: SMA(DO-214AC) 描述: 独立式正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):50V 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@50V 类目: 通用二极管编号: 11867405 详细: 数据手册 1+: ￥0.0808 10+: ￥0.0659 30+: ￥0.0576 250+: ￥0.0447 500+: ￥0.0404 1000+: ￥0.0381 库存：6053 个个总额:￥0

SS14 SMB 品牌: BORN(伯恩半导体) 封装: DO-214AA 描述: - 正向压降(Vf):550mV@1A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:1A 反向电流(Ir):500uA@40V 类目: 肖特基二极管编号: 11867401 详细: 数据手册 1+: ￥0.2585 10+: ￥0.2113 30+: ￥0.1877 300+: ￥0.1464 600+: ￥0.1322 900+: ￥0.1251 库存：216 个个总额:￥0

SS36 SMB 品牌: BORN(伯恩半导体) 封装: DO-214AA 描述: - 正向压降(Vf):850mV@3A 直流反向耐压(Vr):60V 整流电流:3A 反向电流(Ir):50uA@60V 类目: 肖特基二极管编号: 11867397 详细: 数据手册 1+: ￥0.3957 10+: ￥0.3237 30+: ￥0.2877 300+: ￥0.2232 600+: ￥0.2016 900+: ￥0.1908 库存：5273 个个总额:￥0

B0530W 品牌: BORN(伯恩半导体) 封装: SOD-123 描述: - 正向压降(Vf):430mV@500mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流:500mA 反向电流(Ir):130uA@30V 类目: 肖特基二极管编号: 11867393 详细: 数据手册 1+: ￥0.1746 10+: ￥0.1409 30+: ￥0.1221 150+: ￥0.1058 450+: ￥0.096 1050+: ￥0.0908 库存：13170 个个总额:￥0

BSA471N 品牌: BORN(伯恩半导体) 封装: 1206 描述: 2 直流击穿电压:470V 精度:±30% 脉冲放电电流:500A 极间电容:0.5pF 类目: 气体放电管(GDT) 编号: 11867387 详细: 数据手册 1+: ￥0.9641 10+: ￥0.7626 30+: ￥0.6763 100+: ￥0.5686 500+: ￥0.5376 1000+: ￥0.5088 库存：360 个个总额:￥0

BEP3100TA 品牌: BORN(伯恩半导体) 封装: DO-214AC 描述: 275V 开关电压(Vs):350V 峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):- 漏电流(Idrm):5uA 维持电流(Ih):120mA 类目: 半导体放电管(TSS) 编号: 11867383 详细: 数据手册 1+: ￥0.3558 10+: ￥0.3158 30+: ￥0.2958 100+: ￥0.2508 500+: ￥0.2388 1000+: ￥0.2328 库存：2192 个个总额:￥0

S9014 品牌: BORN(伯恩半导体) 封装: SOT-23 描述: NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):45V 功率:200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V 类目: 三极管(BJT) 编号: 11867381 详细: 数据手册 1+: ￥0.07 10+: ￥0.0552 30+: ￥0.0469 150+: ￥0.0416 450+: ￥0.0373 1050+: ￥0.035 库存：20451 个个总额:￥0

S9012 品牌: BORN(伯恩半导体) 封装: SOT-23 描述: PNP 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率:300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V 类目: 三极管(BJT) 编号: 11867376 详细: 数据手册 1+: ￥0.0733 10+: ￥0.0584 30+: ￥0.0502 150+: ￥0.0457 450+: ￥0.0414 1050+: ￥0.0391 库存：1496 个个总额:￥0

S9015 品牌: BORN(伯恩半导体) 封装: SOT-23 描述: PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):45V 功率:200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V 类目: 三极管(BJT) 编号: 11867372 详细: 数据手册 1+: ￥0.0773 10+: ￥0.0624 60+: ￥0.0506 120+: ￥0.0457 480+: ￥0.0414 1020+: ￥0.0391 库存：7755 个个总额:￥0

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