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HL(豪林)

网址： http://www.szhaolin.com

深圳市豪林电子有限公司成立于2002年，专业肖特基、快恢复二极管、MOSFET、1300高压开关三极管、集成电路、用优质量，优单价，优服务，优速度。

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封装：

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符合条件商品：共286件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

D965 800-1000 品牌: HL(豪林) 封装: SOT-89 描述: 无类目: 三极管(BJT) 编号: 11284945 详细: 数据手册 1+: ￥0.4129 10+: ￥0.3369 30+: ￥0.2989 100+: ￥0.259 500+: ￥0.2362 1000+: ￥0.2248 库存：0 个个总额:￥0

HP3710P(EBD) 品牌: HL(豪林) 封装: TO-220 描述: 无类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11284906 详细: 数据手册 1+: ￥3.17 10+: ￥2.63 50+: ￥2.27 100+: ￥2.01 500+: ￥1.85 1000+: ￥1.76 库存：0 个个总额:￥0

HP4N60(BEB) 品牌: HL(豪林) 封装: TO-220 描述: 600V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A 功率(Pd):100W 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11284857 详细: 数据手册 1+: ￥1.448 10+: ￥1.136 30+: ￥1.019 100+: ￥0.873 500+: ￥0.808 1000+: ￥0.769 库存：0 个个总额:￥0

HP80N70(BGG) 品牌: HL(豪林) 封装: TO-220 描述: 70V 连续漏极电流(Id):88A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,40A 功率(Pd):180W 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11284821 详细: 数据手册 1+: ￥2.68 10+: ￥2.17 50+: ￥1.96 100+: ￥1.69 500+: ￥1.5 1000+: ￥1.42 库存：0 个个总额:￥0

HB100N08(CEE) 品牌: HL(豪林) 封装: TO-263 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):82V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,40A 功率(Pd):147W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11284806 详细: 数据手册 1+: ￥3.81 10+: ￥3.15 50+: ￥2.81 100+: ￥2.48 500+: ￥2.14 1000+: ￥2.04 库存：0 个个总额:￥0

S8550 D 品牌: HL(豪林) 封装: TO-92 描述: 无类目: 三极管(BJT) 编号: 11284796 详细: 数据手册 1+: ￥0.1736 10+: ￥0.1376 50+: ￥0.1128 100+: ￥0.1008 500+: ￥0.0904 1000+: ￥0.0848 库存：0 个个总额:￥0

HP8N60 品牌: HL(豪林) 封装: TO-220 描述: 600V 连续漏极电流(Id):7.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.75A 功率(Pd):55W 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11284790 详细: 数据手册 1+: ￥2.57 10+: ￥2.07 50+: ￥1.78 100+: ￥1.51 500+: ￥1.39 1000+: ￥1.32 库存：0 个个总额:￥0

HP50N06(BAF) 品牌: HL(豪林) 封装: TO-220 描述: 无类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11284786 详细: 数据手册 1+: ￥3.12 10+: ￥2.54 50+: ￥2.2 100+: ￥1.89 500+: ￥1.75 1000+: ￥1.66 库存：0 个个总额:￥0

HP120N04(BGG) 品牌: HL(豪林) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,60A 功率(Pd):147W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11284773 详细: 数据手册 1+: ￥3.08 10+: ￥2.54 50+: ￥2.16 100+: ￥1.89 500+: ￥1.73 1000+: ￥1.65 库存：0 个个总额:￥0

HB4N60(BEB) 品牌: HL(豪林) 封装: TO-262 描述: 600V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A 功率(Pd):33W 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11284768 详细: 数据手册 1+: ￥2.0049 10+: ￥1.5729 30+: ￥1.4109 100+: ￥1.2087 500+: ￥1.1187 1000+: ￥1.0647 库存：0 个个总额:￥0

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