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首页 >品牌目录 >SPS(美国源芯)

SPS(美国源芯)

网址： http://www.sourcechips.com/

源芯半导体2004年成立于美国。本公司拥有IC设计技术与系統设计技术的研发团队，并领先同行，擁有晶圆制程和封装技术的设计能力，能提供客户效能佳、品质好以及高整合的产品。同时源芯半导体还致力于材料电子的开发与生产。目前市场跨越地区有美国、日本、韩国、新加坡、香港、中国台湾、大陆等地区。

类目：

更多

封装：

DFN-8-EP(6.1x5.2)

TDFN-8(5.2x5.9)

更多

综合排序价格库存

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符合条件商品：共170件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

SP1471SRL 品牌: SPS(美国源芯) 封装: SOT-23-6 描述: 降压型输出类型:固定工作电压:4.5V~16V 输出电压:800mV~16V 输出电流:3A 类目: DC-DC电源芯片编号: 12013795 详细: 数据手册 1+: ￥1.0324 10+: ￥0.8308 30+: ￥0.7444 100+: ￥0.6366 库存：1355 个个总额:￥0

SM4805PRL 品牌: SPS(美国源芯) 封装: SOP-8 描述: 2个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率:2W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11770769 详细: 数据手册 1+: ￥1.8822 10+: ￥1.5464 30+: ￥1.4024 库存：107 个个总额:￥0

SM4012T9RL 品牌: SPS(美国源芯) 封装: TO-252-5 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):30A；20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,8A 功率(Pd):25W；31.3W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 6694512 详细: 数据手册 1+: ￥1.5775 10+: ￥1.399 30+: ￥1.3225 100+: ￥1.227 500+: ￥1.1845 1000+: ￥1.074 库存：2297 个个总额:￥0

SM3012T9RL 品牌: SPS(美国源芯) 封装: TO-252-5 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,8A 功率(Pd):20.8W；20.8W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 6694503 详细: 数据手册 1+: ￥1.1519 10+: ￥1.0133 30+: ￥0.9539 100+: ￥0.8798 500+: ￥0.8468 1000+: ￥0.693 库存：2172 个个总额:￥0

SM140R50CT8TL 品牌: SPS(美国源芯) 封装: TO-247-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):24A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,12A 功率(Pd):312W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 6694492 详细: 数据手册 1+: ￥15.4 10+: ￥13.34 30+: ￥12.05 100+: ￥10.73 500+: ￥9.69 1000+: ￥9.43 库存：0 个个总额:￥0

SM140R50CT2TL 品牌: SPS(美国源芯) 封装: TO-220F-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):24A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,12A 功率(Pd):168W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 6694481 详细: 数据手册 1+: ￥12.72 10+: ￥10.97 30+: ￥9.88 100+: ￥8.76 500+: ￥7.88 1000+: ￥7.66 库存：0 个个总额:￥0

SM180R65CT2TL 品牌: SPS(美国源芯) 封装: TO-220F-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,10A 功率(Pd):168W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 6694435 详细: 数据手册 1+: ￥9.54 10+: ￥8.24 50+: ￥7.43 100+: ￥6.6 500+: ￥5.95 1500+: ￥5.78 库存：0 个个总额:￥0

SM360R65CT2TL 品牌: SPS(美国源芯) 封装: TO-220F 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):13A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,6.5A 功率(Pd):32W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 6694407 详细: 数据手册 1+: ￥8.84 10+: ￥7.46 50+: ￥6.7 库存：34 个个总额:￥0

SM420R65CT2TL 品牌: SPS(美国源芯) 封装: TO-220F 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):420mΩ@10V,5.5A 功率(Pd):31W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 6694396 详细: 数据手册 1+: ￥6.34 10+: ￥5.4 50+: ￥4.89 库存：10 个个总额:￥0

SM600R65CT2TL 品牌: SPS(美国源芯) 封装: TO-220F 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@10V,3.5A 功率(Pd):28W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 6694386 详细: 数据手册 1+: ￥4.01 10+: ￥3.31 30+: ￥2.96 100+: ￥2.62 500+: ￥2.28 1000+: ￥2.18 库存：0 个个总额:￥0

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