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VBsemi(微碧半导体)

网址： http://www.vbsemi.tw/

微碧半导体成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，也是行业内最值得信赖的电子元器件制造商之一。公司产品覆盖广泛，涵盖各电压硅基MOSFET、SiC MOSFET、SGT MOSFET与IGBT等等，公司具有晶圆开发设计、封装测试、销售服务、技术支持等解决方案提供，销售办事处位于中国特区深圳，企业研发总部位于中国台湾新竹。公司依托优异的产品性能、可靠的供应链和质量管控，专注于消费、汽车和工业等终端市场。

类目：

更多

封装：

PDFN-8(5.2x5.6)

PQFN-8(4.9x5.8)

PQFN-8(3.1x3.1)

PowerPAK-SO-8(5x6)

DFN-8-EP(6.1x5.2)

PDFN-8(5.2x6.2)

更多

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型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

VBL1101M 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-263 描述: - 漏源电压(Vdss):- 连续漏极电流(Id):- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率:- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11864075 详细: 数据手册 1+: ￥4.06 10+: ￥3.4 50+: ￥2.8 100+: ￥2.47 500+: ￥2.27 800+: ￥2.17 库存：20 个个总额:￥0

AO4501-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SO-8 描述: 30V 连续漏极电流(Id):6.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,5A 功率:2W 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11821518 详细: 数据手册 1+: ￥1.33 10+: ￥1.31 30+: ￥1.29 100+: ￥1.27 库存：50 个个总额:￥0

PMT29EN-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOT-223 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,7A 功率:- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11629286 详细: 数据手册 1+: ￥1.0621 10+: ￥1.0392 30+: ￥1.0239 100+: ￥1.0086 库存：0 个个总额:￥0

QM3003J-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: SOT-89 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率:- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11629282 详细: 数据手册 1+: ￥0.8933 10+: ￥0.874 30+: ￥0.8611 100+: ￥0.8482 库存：60 个个总额:￥0

MTD2955E-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-2 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):61mΩ@10V,5A 功率(Pd):34W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11629278 详细: 数据手册 1+: ￥2.59 10+: ￥2.54 30+: ￥2.5 100+: ￥2.47 库存：0 个个总额:￥0

STD12N06T4-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):18.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,18.2A 功率:2.1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11629274 详细: 数据手册 1+: ￥1.37 10+: ￥1.34 30+: ￥1.32 100+: ￥1.3 库存：15 个个总额:￥0

SUD23N06-31-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):45A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,15A 功率:100W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11629269 详细: 数据手册 1+: ￥2.4 10+: ￥1.93 30+: ￥1.72 100+: ￥1.47 500+: ￥1.28 1000+: ￥1.21 库存：1519 个个总额:￥0

30N06 TO252-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):35A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V,15A 功率:3W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11629266 详细: 数据手册 1+: ￥2.61 10+: ￥2.13 30+: ￥1.93 100+: ￥1.67 500+: ￥1.34 1000+: ￥1.28 库存：53 个个总额:￥0

SPD21N05L-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):45A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,15A 功率:100W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11629262 详细: 数据手册 1+: ￥1.77 10+: ￥1.73 30+: ￥1.71 100+: ￥1.68 库存：98 个个总额:￥0

NVD20N03L27T-VB 品牌: VBsemi(微碧半导体) 封装: TO-252-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A 功率(Pd):- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11629256 详细: 数据手册 1+: ￥1.27 10+: ￥1.23 30+: ￥1.21 100+: ￥1.19 库存：0 个个总额:￥0

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