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ALLPOWER(铨力)

网址： http://www.all-power.net

深圳铨力半导体有限公司成立于2016年，是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自中国台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英，公司总部坐落于中国深圳，在韩国和广州设有分公司。铨力依靠专业的自主研发能力和先进的制造能力，为行业提供了超400KK/年的性能卓越的半导体产品，现有产品包括中低压MOSFET、AC-DC电源管理芯片等，铨力已经成为电脑、网通、消费性产品、手机、电池等行业长期合作伙伴，产品远销国内外。我们始终坚持主动了解客户需求，通过不断研发创新，竭诚为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品和解决方案，为客户的成功提供强力支撑。

类目：

更多

封装：

SMD-4P,1.9x2.8mm

PDFN-8L(3.3x3.3)

TDSON-8(5.2x5.9)

SMD-4P,2.2x3.8mm

PDFN-8(5.9x5.2)

DFN-8-EP(3.2x3.1)

PDFN-8(4.9x5.8)

PDFN-8(3.1x3.2)

PDFN-8(3.1x3.1)

SMD-3P,1.9x2.8mm

PDFN-8(5.1x5.8)

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符合条件商品：共289件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

AP4606C 品牌: ALLPOWER(铨力) 封装: SOP-8 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@4.5V,3A 功率:2W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11996208 详细: 数据手册 1+: ￥0.4386 10+: ￥0.367 30+: ￥0.3311 100+: ￥0.3043 400+: ￥0.2077 800+: ￥0.1969 库存：5073 个个总额:￥0

AP4435C 品牌: ALLPOWER(铨力) 封装: SOP-8 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V 功率:3.7W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11996205 详细: 数据手册 1+: ￥0.5978 10+: ￥0.4937 30+: ￥0.4417 100+: ￥0.4027 500+: ￥0.3472 800+: ￥0.3316 库存：5465 个个总额:￥0

AP2045Q 品牌: ALLPOWER(铨力) 封装: DFN-8(3x3.1) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):65A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.6mΩ@4.5V,20A 功率:35W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11950567 详细: 数据手册 1+: ￥0.8457 10+: ￥0.6147 30+: ￥0.4992 100+: ￥0.4125 库存：12339 个个总额:￥0

AP90N03Q 品牌: ALLPOWER(铨力) 封装: DFN-8(3.3x3.3) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):90A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@4.5V,20A 功率:46W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11950564 详细: 数据手册 1+: ￥1.2152 10+: ￥0.895 30+: ￥0.7578 100+: ￥0.5865 库存：3406 个个总额:￥0

AP30H80Q 品牌: ALLPOWER(铨力) 封装: DFN-8(3.1x3.2) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@4.5V,70A 功率:46W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11950560 详细: 数据手册 1+: ￥0.782 10+: ￥0.714 30+: ￥0.68 库存：3820 个个总额:￥0

AP60P20Q 品牌: ALLPOWER(铨力) 封装: DFN-8(3.3x3.3) 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):60A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@4.5V,20A 功率:80W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11950557 详细: 数据手册 1+: ￥1.072 10+: ￥0.9126 30+: ￥0.8443 100+: ￥0.759 库存：4195 个个总额:￥0

AP68N06G 品牌: ALLPOWER(铨力) 封装: PDFN-8(5x6) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,25A 功率:104W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11950554 详细: 数据手册 1+: ￥1.0421 10+: ￥0.9455 30+: ￥0.9041 100+: ￥0.8525 500+: ￥0.6257 1000+: ￥0.6119 库存：6324 个个总额:￥0

AP4822QD 品牌: ALLPOWER(铨力) 封装: PMPAK(3x3) 描述: 2个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,8A 功率:2.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11950551 详细: 数据手册 1+: ￥0.61 10+: ￥0.5024 30+: ￥0.4485 库存：5483 个个总额:￥0

AP4008QD 品牌: ALLPOWER(铨力) 封装: DFN-8(3.2x3.2) 描述: 2个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V 功率:21W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11950549 详细: 数据手册 1+: ￥0.7702 10+: ￥0.7158 30+: ￥0.6886 100+: ￥0.6682 500+: ￥0.4332 1000+: ￥0.4251 库存：9955 个个总额:￥0

AP0803QD 品牌: ALLPOWER(铨力) 封装: PMPAK(3x3) 描述: 2个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,10A 功率:20W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11950546 详细: 数据手册 1+: ￥0.8066 10+: ￥0.7086 30+: ￥0.6666 库存：1418 个个总额:￥0

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