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PJSEMI(平晶微)

网址： http://www.pingjingsemi.com

公司可提供完整的分立器件解决方案，产品种类囊括各类整流管、晶体管、场效应管（MOS）、低压差线性稳压器（LDO）等；公司拥有近万平米制造厂房，引进大批DISCO、ASM、PowerTech等全新自动化生产和测试设备，持续为客户提供优品质、高可靠性产品。

类目：

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封装：

DFN-2L(1.0x0.6)

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符合条件商品：共171件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

PJM3400NSC 品牌: PJSEMI(平晶微) 封装: SOT-23 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,5.8A 功率:1.4W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11228985 详细: 数据手册 1+: ￥0.2166 10+: ￥0.1886 30+: ￥0.1746 300+: ￥0.1597 600+: ￥0.1513 900+: ￥0.1471 库存：8877 个个总额:￥0

PJM3401PSC 品牌: PJSEMI(平晶微) 封装: SOT-23 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.5A 功率:1.4W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11228981 详细: 数据手册 1+: ￥0.2926 10+: ￥0.237 30+: ￥0.2092 300+: ￥0.1884 600+: ￥0.1717 900+: ￥0.1634 库存：2091 个个总额:￥0

PJM2309PSC 品牌: PJSEMI(平晶微) 封装: SOT-23 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,4A 功率:1.4W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11228978 详细: 数据手册 1+: ￥0.387 10+: ￥0.317 30+: ￥0.282 300+: ￥0.2372 600+: ￥0.2162 900+: ￥0.2057 库存：6082 个个总额:￥0

FMMT617 品牌: PJSEMI(平晶微) 封装: SOT-23 描述: NPN 集电极电流(Ic):3A 集射极击穿电压(Vceo):15V 功率:625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,2V 类目: 三极管(BJT) 编号: 10709923 详细: 数据手册 1+: ￥0.3829 10+: ￥0.3109 30+: ￥0.2749 300+: ￥0.2232 600+: ￥0.2016 900+: ￥0.1908 库存：5469 个个总额:￥0

FMMT493 品牌: PJSEMI(平晶微) 封装: SOT-23 描述: NPN 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):100V 功率:250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300 类目: 三极管(BJT) 编号: 10709918 详细: 数据手册 1+: ￥0.2174 10+: ￥0.1754 30+: ￥0.1544 300+: ￥0.1323 600+: ￥0.1197 900+: ￥0.1134 库存：32232 个个总额:￥0

FMMT593 品牌: PJSEMI(平晶微) 封装: SOT-23 描述: PNP 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):100V 功率:250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V 类目: 三极管(BJT) 编号: 10709913 详细: 数据手册 1+: ￥0.2318 10+: ￥0.1898 30+: ￥0.1688 300+: ￥0.1302 600+: ￥0.1176 900+: ￥0.1113 库存：12358 个个总额:￥0

FMMT491 品牌: PJSEMI(平晶微) 封装: SOT-23 描述: NPN 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):60V 功率:500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300 类目: 三极管(BJT) 编号: 10709910 详细: 数据手册 1+: ￥0.2125 10+: ￥0.1705 30+: ￥0.1495 300+: ￥0.1302 600+: ￥0.1176 900+: ￥0.1113 库存：17760 个个总额:￥0

FMMT591 品牌: PJSEMI(平晶微) 封装: SOT-23 描述: PNP 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):60V 功率:500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300 类目: 三极管(BJT) 编号: 10709907 详细: 数据手册 1+: ￥0.2309 10+: ￥0.1889 30+: ￥0.1679 300+: ￥0.1323 600+: ￥0.1197 900+: ￥0.1134 库存：46623 个个总额:￥0

PJ7805TC 品牌: PJSEMI(平晶微) 封装: TO-263-2 描述: 固定工作电压:35V 输出电压:5V 输出电流:1.5A 电源纹波抑制比(PSRR):62dB@(120Hz) 类目: 线性稳压器(LDO) 编号: 10709902 详细: 数据手册 1+: ￥1.9242 10+: ￥1.5808 30+: ￥1.4335 100+: ￥1.1607 400+: ￥1.0789 1000+: ￥1.0299 库存：0 个个总额:￥0

PJ9193M33SE 品牌: PJSEMI(平晶微) 封装: SOT-23-5 描述: 固定工作电压:6.5V 输出电压:3.3V 输出电流:300mA 电源纹波抑制比(PSRR):70dB@(100kHz) 类目: 线性稳压器(LDO) 编号: 10709899 详细: 数据手册 1+: ￥0.3142 10+: ￥0.2542 30+: ￥0.2242 300+: ￥0.186 600+: ￥0.168 900+: ￥0.159 库存：14526 个个总额:￥0

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