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首页 >品牌目录 >HUASHUO(华朔)

HUASHUO(华朔)

网址： http://www.hs-semi.cn/

华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，以及特殊制程的IC Design in House。产品广泛应用于计算机，消费类电子，通讯电源，锂电等新能源产业。华朔以追求绿色节能，高效可靠的产品态度，我们的使命就是为客户及员工创造价值。

类目：

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封装：

DFN-8-EP(5x5.8)

TDSON-8-EP(6x5)

PDFN-8(5.2x5.6)

更多

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符合条件商品：共447件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

HSH6115 品牌: HUASHUO(华朔) 封装: TO-263-2 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):45A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,12A 功率:86.8W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11949677 详细: 数据手册 1+: ￥3.74 10+: ￥3.1 30+: ￥2.77 100+: ￥2.45 500+: ￥2.04 800+: ￥1.94 库存：400 个个总额:￥0

HSH250N10 品牌: HUASHUO(华朔) 封装: TO-263-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):250A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,40A 功率:411W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11949674 详细: 数据手册 1+: ￥16.24 10+: ￥14 30+: ￥12.6 库存：3 个个总额:￥0

HSP15810C 品牌: HUASHUO(华朔) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.7mΩ@10V,30A 功率:227W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11949670 详细: 数据手册 1+: ￥6.11 10+: ￥5.1 50+: ￥4.21 库存：70 个个总额:￥0

HSBA8024A 品牌: HUASHUO(华朔) 封装: PDFN-8(5x6) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):122A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,30A 功率:156W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11949668 详细: 数据手册 1+: ￥6.41 10+: ￥5.48 30+: ￥4.97 100+: ￥4.39 500+: ￥3.7 1000+: ￥3.58 库存：1939 个个总额:￥0

HSBA6214 品牌: HUASHUO(华朔) 封装: DFN-8(5.2x5.8) 描述: 2个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):17A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,15A 功率:2W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11949663 详细: 数据手册 1+: ￥1.6357 10+: ￥1.2997 30+: ￥1.1557 100+: ￥0.976 库存：2915 个个总额:￥0

HSBA6066 品牌: HUASHUO(华朔) 封装: DFN-8(5.1x5.7) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):78A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.4mΩ@10V,20A 功率:75W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11949659 详细: 数据手册 1+: ￥2.42 10+: ￥1.92 30+: ￥1.7 100+: ￥1.44 500+: ￥1.24 1000+: ￥1.17 库存：1537 个个总额:￥0

HSBA3004 品牌: HUASHUO(华朔) 封装: PDFN-8(5x6) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):58A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,30A 功率:46W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11949656 详细: 数据手册 1+: ￥0.7277 10+: ￥0.5955 30+: ￥0.5294 100+: ￥0.4799 库存：1837 个个总额:￥0

HSCE2631 品牌: HUASHUO(华朔) 封装: DFN-8(3.3x3.3) 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.6Ω@4.5V,20A 功率:83W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11949651 详细: 数据手册 1+: ￥2.71 10+: ￥2.39 30+: ￥2.23 100+: ￥2.07 500+: ￥1.81 库存：872 个个总额:￥0

HSBB6066 品牌: HUASHUO(华朔) 封装: DFN-8(3x3) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):60A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.4mΩ@10A 功率:45W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11949649 详细: 数据手册 1+: ￥2.37 10+: ￥1.87 30+: ￥1.66 100+: ￥1.39 500+: ￥1.24 1000+: ￥1.17 库存：11766 个个总额:￥0

HSBB4115 品牌: HUASHUO(华朔) 封装: DFN-8(3x3) 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):39A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,18A 功率:52.1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11949646 详细: 数据手册 1+: ￥1.8134 10+: ￥1.4278 30+: ￥1.2626 100+: ￥1.0564 库存：2284 个个总额:￥0

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