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ASDsemi(安森德)

网址： http://ascendsemi.com/

西安安森德半导体有限公司(以下简称“安森德")是一家专注于高性能、高品质模拟集成电路研发和销售的半导体公司。安森德的技术团队由在欧美顶尖半导体公司工作过的资深专家组成,拥有先进的模拟集成电路设计、工艺、生产、测试及可靠性技术和丰富的质量管理经验。安森德的通用模拟IC产品性能优良、品质卓越,可广泛应用于智能手机、PAD、数字电视、DVD、数码相机、笔记本电脑、可穿戴式设备、舞台音响、调音台设备、各种消费类电子产品以及车载电子、工业控制、医疗设备、测试仪表等众多领域。展望未来,安森德将以市场为导向、以创新为驱动、以服务客户为目标，坚持自主创新，不断开发更高性能的模拟集成电路技术,推出在性能、功耗、可靠性等方面具有国际领先水平，在品质、性价比、技术支持等方面具备较强国际竞争力及良好产业化前景的新一代模拟IC产品，努力成为世界模拟芯片行业的翘楚。

类目：

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封装：

PDFN-8(4.9x5.8)

PDFN-8(3.3x3.3)

DFN-8-EP(3.3x3.3)

PowerTDFN-8(3.1x3.1)

更多

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符合条件商品：共112件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

ASDM3415ZA-R 品牌: ASDsemi(安森德) 封装: SOT-23 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@4.5V,4.1A 功率:1.7W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11939932 详细: 数据手册 1+: ￥0.3245 10+: ￥0.2648 30+: ￥0.2349 库存：2110 个个总额:￥0

ASDM4976S-R 品牌: ASDsemi(安森德) 封装: SOP-8 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,5A 功率:1.2W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11582128 详细: 数据手册 1+: ￥1.5648 10+: ￥1.2876 30+: ￥1.1688 100+: ￥1.0206 500+: ￥0.8085 800+: ￥0.7689 库存：2942 个个总额:￥0

ASDM4614S-R 品牌: ASDsemi(安森德) 封装: SOP-8 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,7A 功率:2W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11582124 详细: 数据手册 1+: ￥0.8674 10+: ￥0.7624 30+: ￥0.7174 100+: ￥0.6612 500+: ￥0.5976 800+: ￥0.5826 库存：3425 个个总额:￥0

ASDM4606S-R 品牌: ASDsemi(安森德) 封装: SOP-8 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):61mΩ@4.5V,4A 功率:2.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11582120 详细: 数据手册 1+: ￥0.7083 10+: ￥0.5863 30+: ￥0.5254 100+: ￥0.4796 500+: ￥0.3699 800+: ￥0.3516 库存：3473 个个总额:￥0

ASOPD4580N-R 品牌: ASDsemi(安森德) 封装: DIP-8L 描述: 无类目: 运算放大器编号: 11582114 详细: 数据手册 1+: ￥0.6698 10+: ￥0.5258 30+: ￥0.4429 100+: ￥0.3889 500+: ￥0.3457 1000+: ￥0.324 库存：0 个个总额:￥0

ASOPD4580S-R 品牌: ASDsemi(安森德) 封装: SOP-8 描述: 双路最大电源宽度(Vdd-Vss):36V 轨到轨:- 增益带宽积(GBP):15MHz 输入失调电压(Vos):3mV 类目: 运算放大器编号: 11582112 详细: 数据手册 1+: ￥0.6448 10+: ￥0.5288 30+: ￥0.4708 100+: ￥0.4273 500+: ￥0.3582 800+: ￥0.3408 库存：468 个个总额:￥0

ASDM4406S-R 品牌: ASDsemi(安森德) 封装: SOP-8 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):13A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,12A 功率:3.1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11582108 详细: 数据手册 1+: ￥0.7574 10+: ￥0.6254 30+: ￥0.5594 100+: ￥0.5099 500+: ￥0.4076 800+: ￥0.3878 库存：7 个个总额:￥0

ASDM4100S-R 品牌: ASDsemi(安森德) 封装: SOP-8 描述: - 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):185mΩ@10V,4A 功率:2.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11582104 详细: 数据手册 1+: ￥1.243 10+: ￥1.0855 30+: ￥1.018 100+: ￥0.9338 500+: ￥0.8963 1000+: ￥0.8738 库存：3819 个个总额:￥0

ASDM40N52E-R 品牌: ASDsemi(安森德) 封装: DFN-8(3x3.1) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):52A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,30A 功率:65W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11582098 详细: 数据手册 1+: ￥1.329 10+: ￥1.056 30+: ￥0.939 100+: ￥0.793 500+: ￥0.728 1000+: ￥0.689 库存：352 个个总额:￥0

ASDM3404ZA-R 品牌: ASDsemi(安森德) 封装: SOT-23 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,5.8A 功率:1.4W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11582096 详细: 数据手册 1+: ￥0.3324 10+: ￥0.2724 30+: ￥0.2424 300+: ￥0.186 600+: ￥0.168 900+: ￥0.159 库存：1 个个总额:￥0

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