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CASS(凯思)

网址： http://www.casssemi.com/

张家港凯思半导体有限公司成立于2011年，专业从事节能型功率半导体器件和集成电路的研发与销售。公司是张家港市重点扶持高科技半导体企业，并于2012年获评张家港市领军型人才项目企业。

类目：

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封装：

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符合条件商品：共13件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

CS75N45 品牌: CASS(凯思) 封装: TO-220 描述: - 漏源电压(Vdss):- 连续漏极电流(Id):139A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率(Pd):- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11782232 详细: 数据手册 1+: ￥3.12 10+: ￥3.05 30+: ￥3.01 100+: ￥2.79 库存：0 个个总额:￥0

CS40N27 品牌: CASS(凯思) 封装: TO-220 描述: - 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):170A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率(Pd):231W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11782227 详细: 数据手册 1+: ￥3.12 10+: ￥3.05 30+: ￥3.01 100+: ￥2.79 库存：0 个个总额:￥0

CS48N78 品牌: CASS(凯思) 封装: TO-220 描述: - 漏源电压(Vdss):- 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率(Pd):- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11782222 详细: 数据手册 1+: ￥1.5 10+: ￥1.47 30+: ￥1.44 100+: ￥1.34 库存：0 个个总额:￥0

CS64N90 品牌: CASS(凯思) 封装: TO-220 描述: - 漏源电压(Vdss):- 连续漏极电流(Id):92A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率(Pd):- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11782215 详细: 数据手册 1+: ￥1.67 10+: ￥1.63 30+: ￥1.61 库存：6 个个总额:￥0

CS55N50 品牌: CASS(凯思) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):105A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,40A 功率(Pd):147W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11782208 详细: 数据手册 1+: ￥1.89 10+: ￥1.85 30+: ￥1.82 100+: ￥1.58 库存：0 个个总额:￥0

CS48N88 品牌: CASS(凯思) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):70V 连续漏极电流(Id):92A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A 功率(Pd):120W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11782204 详细: 数据手册 1+: ￥1.76 10+: ￥1.73 30+: ￥1.7 库存：1 个个总额:￥0

CS95118 品牌: CASS(凯思) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):95V 连续漏极电流(Id):118A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,40A 功率:139W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11782200 详细: 数据手册 1+: ￥2.36 10+: ￥2.31 30+: ￥2.27 100+: ￥2.23 库存：0 个个总额:￥0

CS72N12 品牌: CASS(凯思) 封装: TO-220 描述: - 漏源电压(Vdss):95V 连续漏极电流(Id):118A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率(Pd):250W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11782195 详细: 数据手册 1+: ￥2.66 10+: ￥2.6 30+: ￥2.56 100+: ￥2.37 库存：0 个个总额:￥0

CS48N75 品牌: CASS(凯思) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):70V 连续漏极电流(Id):68A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A 功率(Pd):88W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11782192 详细: 数据手册 1+: ￥1.2264 10+: ￥1.1994 30+: ￥1.1815 100+: ￥1.016 库存：0 个个总额:￥0

CS85105A 品牌: CASS(凯思) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):83V 连续漏极电流(Id):82A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A 功率(Pd):99W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11782184 详细: 数据手册 1+: ￥1.89 10+: ￥1.85 30+: ￥1.82 100+: ￥1.58 库存：0 个个总额:￥0

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