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ARK(方舟微)

网址： http://www.ark-micro.com

(ARK) 成都方舟微电子有限公司成立13年来，专业从事功率半导体器件的研发、设计、生产与销售，并提供电源管理、电路保护解决方案，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。ARK可根据客户需求，提供高端定制开发。开发从电路保护方案、产品定义、产品设计和测试分析，直到产品最终的合格使用，并不断优化更新，能够提供产品全生命周期服务。以市场需求带动创新研发，以技术发展引导应用升级，是ARK一贯宗旨。产品大量用于充电器、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网等领域。公司创始人具有三十多年半导体行业研发与管理经验，团队包括：海归博士、国内顶尖大学硕士，及海外研发合作团队。所有产品均自主研发，相关技术已获发明专利，目前公司具有发明专利及集成电路布图近70项，是以自主研发为核心竞争力的半导体原厂。 ARK产品包括消费类和工业类两条产品线，用于充电器、LED等消费电子产品的DMZ6005E、 DMZ1015E、DMZ1521E等系列产品，仅DMZ6005E一颗产品目前已出货5亿只，专为PD3.1快充定制开发，为大功率、宽电压输出的PD提供PWM IC 、同步整流IC供电并具有电路启动功能；30V~350V全系列增强型MOSFET对标AOS同类产品，海外生产，品质更高、价格更优、供货更有保证。ARK目前已与PI、ON、IWATT、立锜、昂宝、康源、华源智信、硅动力等设计公司有深入合作，是华为、荣耀、三星、小米、Google、VIVO、MEIZU、ANKER、RAVPOWER、SONY、LG、TP-LINK等客户的长期供应商。 ARK用于工控、汽车电子、物联网等领域的DMX1072/DMS1072、DMX4022E/DMS4022E、DMZ1511E、DMD4523E等系列产品，一颗器件即能实现安全的瞬态浪涌抑制、过压过流保护应用，器件性能完全达到甚至超过国外同类产品。目前与TE、上汽、一汽、南京科远、正崴精密、中电集团等有广泛合作。 ARK产品以高品质、高性能、低成本对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户的认可并广泛采用。

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封装：

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符合条件商品：共35件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

AKP10M60R 品牌: ARK(方舟微) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):100mA 功率:40W 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100uA 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10352254 详细: 数据手册 1+: ￥13.12 10+: ￥11.31 50+: ￥10.17 100+: ￥9.01 500+: ￥8.05 1000+: ￥7.82 库存：0 个个总额:￥0

FTS01N15G 品牌: ARK(方舟微) 封装: SOT-223 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@5V,1A 功率:1.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10352245 详细: 数据手册 1+: ￥3.21 10+: ￥2.66 30+: ￥2.38 100+: ￥2.11 500+: ￥1.86 1000+: ￥1.78 库存：306 个个总额:￥0

FTE15C35G 品牌: ARK(方舟微) 封装: SOP-8 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30Ω@10V,200mA 功率:2.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10352237 详细: 数据手册 1+: ￥29.91 10+: ￥26.16 30+: ￥23.93 100+: ￥21.67 500+: ￥19.62 1000+: ￥19.15 库存：0 个个总额:￥0

FTX30P35G 品牌: ARK(方舟微) 封装: SOT-89-3 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30Ω@10V,200mA 功率:1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10352230 详细: 数据手册 1+: ￥3 10+: ￥2.93 30+: ￥2.88 100+: ￥2.83 库存：99 个个总额:￥0

FTZ30P35G 品牌: ARK(方舟微) 封装: SOT-23 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30Ω@10V,200mA 功率:500mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10352220 详细: 数据手册 1+: ￥4.69 10+: ￥3.85 30+: ￥3.43 100+: ￥3.02 500+: ￥2.6 1000+: ￥2.47 库存：2360 个个总额:￥0

FTX15N35G 品牌: ARK(方舟微) 封装: SOT-89-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15Ω@10V,200mA 功率:1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10352216 详细: 数据手册 1+: ￥2.25 10+: ￥1.82 30+: ￥1.64 100+: ￥1.41 500+: ￥1.25 1000+: ￥1.19 库存：691 个个总额:￥0

FTZ15N35G 品牌: ARK(方舟微) 封装: SOT-23 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):350V 连续漏极电流(Id):200mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15Ω@10V,200mA 功率:500mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10352207 详细: 数据手册 1+: ￥2.1362 10+: ￥1.7213 30+: ￥1.5434 100+: ￥1.3215 600+: ￥1.1066 1200+: ￥1.0473 库存：172 个个总额:￥0

FTS10N15G 品牌: ARK(方舟微) 封装: SOT-223-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):350mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@10V,250mA 功率:1.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10352196 详细: 数据手册 1+: ￥1.32 10+: ￥1.29 30+: ￥1.27 100+: ￥1.25 库存：19 个个总额:￥0

AKF30N10S 品牌: ARK(方舟微) 封装: PDFN(3.3x3.3) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):45A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@4.5V,10A 功率:30W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10352187 详细: 数据手册 1+: ￥0.612 10+: ￥0.54 30+: ￥0.504 100+: ￥0.477 500+: ￥0.4338 1000+: ￥0.423 库存：4415 个个总额:￥0

AKF30N5P0SX 品牌: ARK(方舟微) 封装: PDFN3333 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):59A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@4.5V,5A 功率:28W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10352178 详细: 数据手册 1+: ￥0.7722 10+: ￥0.617 30+: ￥0.5394 100+: ￥0.4812 500+: ￥0.4113 1000+: ￥0.388 库存：5002 个个总额:￥0

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