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AGM-Semi(芯控源)

网址： http://www.agm-mos.com/

深圳市芯控源电子科技有限公司成立于2015年01月28日，注册地位于深圳市龙岗区坂田街道稼先路993号赣锋科技大厦B座13楼. 主要从事硅基普通功率MOSFET，SGT MOS和超结MOS器件的研发与销售，产品广泛应用于PD快充、无刷电机、变频器、逆变焊机、光伏逆变器同步整流电源、BMS、充电桩、绿色照明、新能源汽车等领域。芯控源（AGMsemi)专注于高能效功率半导体器件的创新研发，力争为客户提供更优质的服务，创造更高的价值。

类目：

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封装：

PDFN-8(3.3x3.3)

WQFN-8-EP(3.3x3.3)

更多

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型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

AGM14N10AP 品牌: AGM-Semi(芯控源) 封装: PDFN3.3x3.3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)):12mΩ@10V,20A 耗散功率(Pd):68W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9751228 详细: 数据手册 1+: ￥1.7416 10+: ￥1.3586 30+: ￥1.1944 库存：432 个个总额:￥0

AGM60P85E 品牌: AGM-Semi(芯控源) 封装: SOT-23-3 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 导通电阻(RDS(on)):115mΩ@10V,3A 耗散功率(Pd):2.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9751224 详细: 数据手册 1+: ￥0.3102 10+: ￥0.3033 30+: ￥0.2987 100+: ￥0.294 库存：0 个个总额:￥0

AGM404D 品牌: AGM-Semi(芯控源) 封装: TO-252 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):82A 导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,20A 耗散功率(Pd):25.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9751219 详细: 数据手册 1+: ￥1.3309 10+: ￥1.0487 30+: ￥0.9277 库存：70 个个总额:￥0

AGM16N65F 品牌: AGM-Semi(芯控源) 封装: TO-220F 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):16A 导通电阻(RDS(on)):- 耗散功率(Pd):53W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9751215 详细: 数据手册 1+: ￥4.5 10+: ￥3.63 50+: ￥3.14 100+: ￥2.71 500+: ￥2.46 1000+: ￥2.32 库存：0 个个总额:￥0

AGM01P15AP 品牌: AGM-Semi(芯控源) 封装: PDFN3.3x3.3 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):10.5A 导通电阻(RDS(on)):315mΩ@10V,6A 耗散功率(Pd):33W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9751212 详细: 数据手册 1+: ￥1.137 10+: ￥0.8847 30+: ￥0.7766 100+: ￥0.6417 500+: ￥0.5666 库存：2718 个个总额:￥0

AGM6015H 品牌: AGM-Semi(芯控源) 封装: TO-263 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):210A 导通电阻(RDS(on)):1.5mΩ@10V,100A 耗散功率(Pd):255W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9751208 详细: 数据手册 1+: ￥2.82 10+: ￥2.75 30+: ￥2.71 100+: ￥2.66 库存：390 个个总额:￥0

AGM306MBP 品牌: AGM-Semi(芯控源) 封装: PDFN3.3x3.3 描述: 2个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):46A 导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,12A 耗散功率(Pd):20W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9751204 详细: 数据手册 1+: ￥0.4398 10+: ￥0.4288 30+: ￥0.4215 100+: ￥0.4142 库存：0 个个总额:￥0

AGMH035N10C 品牌: AGM-Semi(芯控源) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):150A 导通电阻(RDS(on)):3.6mΩ@10V,30A 耗散功率(Pd):208W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9751200 详细: 数据手册 1+: ￥4.7 10+: ￥3.79 50+: ￥3.3 100+: ￥2.85 500+: ￥2.58 1000+: ￥2.44 库存：259 个个总额:￥0

AGM403AP 品牌: AGM-Semi(芯控源) 封装: PDFN3.3x3.3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):65A 导通电阻(RDS(on)):2.7mΩ@10V,20A 耗散功率(Pd):69W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9751196 详细: 数据手册 1+: ￥1.8283 10+: ￥1.4341 30+: ￥1.2652 库存：74 个个总额:￥0

AGM304AP 品牌: AGM-Semi(芯控源) 封装: PDFN3.3x3.3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@10V,20A 耗散功率(Pd):45W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9751189 详细: 数据手册 1+: ￥0.549 10+: ￥0.536 30+: ￥0.5274 100+: ￥0.5187 库存：627 个个总额:￥0

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