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TMC(台懋)

网址： http://www.tmc.com.tw

台懋科技股份有限公司作爲全球领先的中低压MOS设计、运营、服务商，自1988年在新竹工业园成立以来，一直秉承于敬畏科技、忠于客户的服务理念，致力节能、高效半导体的发展与産品开发，在Tritech-MOS品牌上营造更高性价比的産品，爲客户提供优质産品及服务爲核心。台懋总部，拥有平面、沟槽、SGT、IGBT、SIC全系列MOSFET先进的芯片设计和制程整合技术，全方位应用全电压领域；并可提供单一或多核心之客制化産品。当前産品广泛应用于LED照明，车灯，动力锂电池保护板，马达驱动，电动工具，家电智能控制，电动车电源，充电椿等多种领域，未来应用前景将更加广阔。

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封装：

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符合条件商品：共253件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

TMN30100YS 品牌: TMC(台懋) 封装: TO-251S-3L 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@10V 耗散功率(Pd):3.6W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9693781 详细: 数据手册 1+: ￥0.5165 10+: ￥0.505 32+: ￥0.4973 96+: ￥0.4896 库存：0 个个总额:￥0

TMN10015YS 品牌: TMC(台懋) 封装: TO-251S-3L 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):- 耗散功率(Pd):- 阈值电压(Vgs(th)):2.5V 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9693778 详细: 数据手册 1+: ￥0.4693 10+: ￥0.4589 32+: ￥0.452 96+: ￥0.4451 库存：0 个个总额:￥0

TMN3070NF 品牌: TMC(台懋) 封装: PDFN5x6-8L 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ@10V,30A 耗散功率(Pd):- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9693772 详细: 数据手册 1+: ￥0.4823 10+: ￥0.4707 30+: ￥0.4631 100+: ￥0.4554 库存：1465 个个总额:￥0

TM3007NF 品牌: TMC(台懋) 封装: PDFN5x6-8L 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)):7mΩ@10V 耗散功率(Pd):- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9693769 详细: 数据手册 1+: ￥0.891 10+: ￥0.8711 30+: ￥0.8579 100+: ￥0.8446 库存：1750 个个总额:￥0

TM3010NF 品牌: TMC(台懋) 封装: PDFN5x6-8L 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):- 导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ@10V 耗散功率(Pd):15W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9693765 详细: 数据手册 1+: ￥0.7489 10+: ￥0.7322 30+: ￥0.7211 100+: ￥0.71 库存：65 个个总额:￥0

TM4017NF 品牌: TMC(台懋) 封装: PDFN5x6-8L 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)):17mΩ@10V 耗散功率(Pd):- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9693761 详细: 数据手册 1+: ￥0.7619 10+: ￥0.7449 30+: ￥0.7335 100+: ￥0.7222 库存：70 个个总额:￥0

TM3014NF 品牌: TMC(台懋) 封装: PDFN5x6-8L 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):16A 导通电阻(RDS(on)):14mΩ@10V 耗散功率(Pd):15W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9693758 详细: 数据手册 1+: ￥0.6844 10+: ￥0.6691 30+: ￥0.6589 100+: ￥0.6488 库存：0 个个总额:￥0

TMN3080DF 品牌: TMC(台懋) 封装: PDFN3x3-8L 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)):4mΩ@10V 耗散功率(Pd):- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9693753 详细: 数据手册 1+: ￥1.036 10+: ￥0.8142 30+: ￥0.7192 100+: ￥0.6006 500+: ￥0.5478 1000+: ￥0.5161 库存：7778 个个总额:￥0

TMP2070DF 品牌: TMC(台懋) 封装: PDFN3x3-8L 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):60A 导通电阻(RDS(on)):6.6mΩ@4.5V,15A 耗散功率(Pd):- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9693747 详细: 数据手册 1+: ￥0.6198 10+: ￥0.606 30+: ￥0.5968 100+: ￥0.5876 库存：0 个个总额:￥0

TMN6030DF 品牌: TMC(台懋) 封装: PDFN3x3-8L 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)):28mΩ@10V 耗散功率(Pd):31.3W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 9693743 详细: 数据手册 1+: ￥0.3911 10+: ￥0.3825 30+: ￥0.3767 100+: ￥0.3709 库存：1755 个个总额:￥0

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