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首页 >品牌目录 >WINSOK(微硕)

WINSOK(微硕)

网址： http://www.winsok.net/

WINSOK（微硕）为一家专业功率半导体元件及数模IC的设计公司。透过对产品的持续创新，结合市场需求不断接受新挑战，持续精益深耕技术研发。致力提供卓越的设计和性能可靠的产品，以快速的响应与服务满足客户需求，为客户和员工创造价值，并保持不断累积和突破，开拓持续永久发展，让WINSOK（微硕）能为全球智能化的进程尽一份努力，进而成为世界卓越的设计公司。

类目：

更多

封装：

DFN-C-6-EP2(2x2)

DFN-8-EP(5.8x5.3)

PDFN-8(4.9x5.8)

PDFN-8(5.2x6.2)

PDFN-8(3.1x3.2)

DFN-8-EP(6.1x5.2)

PowerTDFN-8(3x3)

PDFN-8(5.2x5.5)

DFNWB-6-EP(2x2)

DFN-8-C-EP2(5x6)

PDFN-8(5.9x5.2)

WDFN-8(3.3x3.3)

更多

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符合条件商品：共594件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

WSP4407 品牌: WINSOK(微硕) 封装: SOP-8 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):13A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.6mΩ@10V,13A 功率:3.1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11971846 详细: 数据手册 1+: ￥1.179 10+: ￥1.0633 30+: ￥1.0136 100+: ￥0.9517 600+: ￥0.6965 1200+: ￥0.68 库存：2057 个个总额:￥0

WST6401 品牌: WINSOK(微硕) 封装: SOT-23N 描述: - 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):135mΩ@4.5V,2A 功率:700mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11971843 详细: 数据手册 1+: ￥0.1822 10+: ￥0.1476 30+: ￥0.1283 300+: ￥0.1065 600+: ￥0.0965 900+: ￥0.0911 库存：2 个个总额:￥0

WST2N7002A 品牌: WINSOK(微硕) 封装: SOT-23N 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):700mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,0.5A 功率:250mW 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11971840 详细: 数据手册 1+: ￥0.3912 10+: ￥0.3272 30+: ￥0.2952 300+: ￥0.2168 600+: ￥0.1976 900+: ￥0.188 库存：5951 个个总额:￥0

WST2301A 品牌: WINSOK(微硕) 封装: SOT-23N 描述: - 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@4.5V,2A 功率:1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11971835 详细: 数据手册 1+: ￥0.1924 10+: ￥0.155 30+: ￥0.1342 100+: ￥0.1218 600+: ￥0.1042 1200+: ￥0.0983 库存：30 个个总额:￥0

WST2300A 品牌: WINSOK(微硕) 封装: SOT-23 描述: - 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@4.5V,1.8A 功率:1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11971834 详细: 数据手册 1+: ￥0.175 10+: ￥0.1377 30+: ￥0.1169 300+: ￥0.1046 600+: ￥0.0938 900+: ￥0.088 库存：6748 个个总额:￥0

WSP10N10 品牌: WINSOK(微硕) 封装: SOP-8 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,10A 功率:3.1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11937979 详细: 数据手册 1+: ￥2.58 10+: ￥2.04 30+: ￥1.8 100+: ￥1.51 500+: ￥1.38 1000+: ￥1.3 库存：1418 个个总额:￥0

WSR4N65F 品牌: WINSOK(微硕) 封装: TO-220F-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,3.5A 功率:39W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11586130 详细: 数据手册 1+: ￥3.06 10+: ￥2.49 50+: ￥2.01 100+: ￥1.71 500+: ￥1.57 1000+: ￥1.49 库存：360 个个总额:￥0

WSF4042 品牌: WINSOK(微硕) 封装: TO-252-4 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,20A 功率:32.9W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11586129 详细: 数据手册 1+: ￥1.4623 10+: ￥1.434 30+: ￥1.4152 100+: ￥1.3964 库存：198 个个总额:￥0

WSR80P06 品牌: WINSOK(微硕) 封装: TO-220 描述: - 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@4.5V,12A 功率:86.8W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11586126 详细: 数据手册 1+: ￥7.22 10+: ￥6.11 50+: ￥5.41 100+: ￥4.72 500+: ￥4.41 1000+: ￥4.28 库存：64 个个总额:￥0

WSR10N65F 品牌: WINSOK(微硕) 封装: TO-220F-3 描述: - 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,3.5A 功率:39W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11586122 详细: 数据手册 1+: ￥5 10+: ￥4.14 30+: ￥3.71 100+: ￥3.2 500+: ￥2.94 1000+: ￥2.81 库存：189 个个总额:￥0

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