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对比
TLE2062CDR
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SOIC-8
- 品牌名称Texas Instruments
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商品型号
TLE2062CDR -
商品编号
TLE2062CDR -
商品封装
SOIC-8 -
分类
FET输入运放
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | FET输入运放 | |
| 产品类型 | TLE2062 双通道、36V、2MHz、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器 | |
| 放大器数 | 双路 | |
| 增益带宽积(GBW) | 2MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 4pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 900uV | |
| 共模抑制比(CMRR) | 82dB | |
| 压摆率(SR) | 3.4V/us | |
| 静态电流(Iq) | 325uA | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 6uV/℃ | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -18V~-3.5V；3.5V~18V | |
| 输入电压噪声密度(eN) | 43nV/√Hz@1kHz | |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
数据手册PDF
参数完善中
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