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对比
AOD5B65MQ1E
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TO-252
- 品牌名称AOS
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商品型号
AOD5B65MQ1E -
商品编号
AOD5B65MQ1E -
商品封装
TO-252 -
分类
IGBT管/模块
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 产品类型 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 15A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V@5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC | |
| 输入电容(Cies) | 235pF | |
| 输出电容(Coes) | 22pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 5pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 7ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 78ns | |
| 导通损耗(Eon) | 90uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 60uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 74ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 封装/外壳 | TO-252 |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量： 个
