温馨提示
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
-
收藏
-
对比
IMBG120R045M1HXTMA1
-
TO-263-7-12
- 品牌名称Infineon
-
商品型号
IMBG120R045M1HXTMA1 -
商品编号
IMBG120R045M1HXTMA1 -
商品封装
TO-263-7-12 -
分类
碳化硅场效应管(MOSFET)
-
商品参数
|
|
属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 特性：非常低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。 用于硬换向的坚固体二极管。应用：驱动器。 基础设施-充电器 | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.527nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ | |
| 封装/外壳 | TO-263-7-12 |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量： 个
