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对比
IMBG120R090M1HXTMA1
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TO-263-7-12
- 品牌名称Infineon
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商品型号
IMBG120R090M1HXTMA1 -
商品编号
IMBG120R090M1HXTMA1 -
商品封装
TO-263-7-12 -
分类
碳化硅场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 763pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 39pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ | |
| 封装/外壳 | TO-263-7-12 |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
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个
起订量： 个
