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对比
IMBG65R048M1HXTMA1
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TO-263-7
- 品牌名称Infineon
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商品型号
IMBG65R048M1HXTMA1 -
商品编号
IMBG65R048M1HXTMA1 -
商品封装
TO-263-7 -
分类
碳化硅场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 采用英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料特性，提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的操作环境，能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。 | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 耗散功率(Pd) | 183W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.118nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 168pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ | |
| 封装/外壳 | TO-263-7 |
梯度
含税售价
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仓库库存数量
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个
起订量： 个
