温馨提示
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
-
收藏
-
对比
IMZA65R027M1H
-
TO-247-4
- 品牌名称Infineon
-
商品型号
IMZA65R027M1H -
商品编号
IMZA65R027M1H -
商品封装
TO-247-4 -
分类
碳化硅场效应管(MOSFET)
-
商品参数
|
|
属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙SiC材料特性，提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境，能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。 | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 耗散功率(Pd) | 189W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.131nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 317pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ | |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量： 个
