温馨提示
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
-
收藏
-
对比
SCTW35N65G2VAG
-
TO-247-3
- 品牌名称ST
-
商品型号
SCTW35N65G2VAG -
商品编号
SCTW35N65G2VAG -
商品封装
TO-247-3 -
分类
碳化硅场效应管(MOSFET)
-
商品参数
|
|
属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 采用 HiP247 封装的汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C） | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量： 个
