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对比
SCTWA30N120
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HiP-247
- 品牌名称STMicroelectronics
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商品型号
SCTWA30N120 -
商品编号
SCTWA30N120 -
商品封装
HiP-247 -
分类
碳化硅场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247长引线封装 | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ | |
| 封装/外壳 | HiP-247 |
梯度
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