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对比
SCTWA90N65G2V-4
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HiP247-4
- 品牌名称ST
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商品型号
SCTWA90N65G2V-4 -
商品编号
SCTWA90N65G2V-4 -
商品封装
HiP247-4 -
分类
碳化硅场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 碳化硅功率 MOSFET 650 V、18 mOhm（典型值）、119 A，采用 HiP247-4 封装 | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 119A | |
| 耗散功率(Pd) | 565W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 157nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 294pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ | |
| 封装/外壳 | HiP247-4 |
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