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对比
VOS628A-3T
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SOIC-4-175mil
- 品牌名称Vishay
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商品型号
VOS628A-3T -
商品编号
VOS628A-3T -
商品封装
SOIC-4-175mil -
分类
晶体管输出光耦
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 产品类型 | VOS628A系列采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。 | |
| 输入类型 | AC,DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.1V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 3.75kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 80V | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 120mV@1mA,0.25mA | |
| 上升时间(tr) | 5us | |
| 下降时间 | 7us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 100% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 200% | |
| 总功耗(Pd) | 170mW | |
| 正向电流(If) | 50mA | |
| 封装/外壳 | SOIC-4-175mil |
梯度
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(单位：0个)-
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个
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