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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 产品类型 | 是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)。无需像SRAM那样使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³次读写操作，相较于闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提升。写入数据时不像闪存或E²PROM那样需要很长时间，也无需等待时间。 | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 1.8V~3.6V | |
| 工作电流 | 800uA | |
| 时钟频率(fc) | 10MHz | |
| 待机电流 | 12uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | 6uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 10000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 功能特性 | 工作状态指示 | |
| 封装/外壳 | SOP-8 |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量： 个
