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当前“

铁电存储器(FRAM)

”共 64件相关商品

品牌

  • Infineon(英飞凌)
  • Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
  • RAMXEED/FUJITSU(富士通)
  • ROHM(罗姆)

封装/规格

  • -
  • BGA-24
  • BGA-48
  • DFN-8
  • DFN-8(2x3)
  • DFN-8(3.3x3.3)
  • DFN-8(4x4.5)
  • DFN-8(5x6)
  • DIP-28
  • DIP-8
  • QFN-8
  • QFN-8(3.2x3.3)
  • SOP-14
  • SOP-16-300mil
  • SOP-28
  • SOP-28-300mil
  • SOP-8
  • SOP-8-150mil
  • SOP-8-208mil
  • SSOP-48-300mil
  • TSOPI-28
  • TSOPI-32-11.8mm
  • TSOPI-48
  • TSOPII-32
  • TSOPII-44

接口类型

  • I2C
  • SPI
  • 并口(Parallel)

存储容量

  • 4Kbit
  • 16Kbit
  • 32Kbit
  • 64Kbit
  • 128Kbit
  • 256Kbit
  • 512Kbit
  • 1Mbit
  • 2Mbit
  • 4Mbit
  • 8Mbit

时钟频率(fc)

  • -
  • 1MHz
  • 3.4MHz
  • 15MHz
  • 16MHz
  • 20MHz
  • 25MHz
  • 33MHz
  • 34MHz
  • 40MHz
  • 50MHz
  • 108MHz

工作电压

  • 1.71V~1.89V
  • 1.8V~3.6V
  • 2V~3.6V
  • 2.7V~3.65V
  • 2.7V~3.6V
  • 2.7V~5.5V
  • 3V~3.6V
  • 3V~5.5V
  • 4.5V~5.5V

工作电流

  • 70uA
  • 100uA
  • 175uA
  • 300uA
  • 400uA
  • 1mA
  • 1.5mA
  • 2mA
  • 2.3mA
  • 2.5mA
  • 3mA
  • 4mA
  • 5mA
  • 7mA
  • 8mA
  • 10mA
  • 12mA

待机电流

  • 100nA
  • 3uA
  • 4uA
  • 6uA
  • 10uA
  • 15uA
  • 20uA
  • 45uA
  • 90uA
  • 100uA
  • 120uA
  • 150uA
  • 400uA
  • 500uA
  • 750uA

睡眠模式电流(Izz)

  • -
  • 2uA
  • 3uA
  • 5uA
  • 8uA
  • 12uA
  • 20uA

工作温度

  • -40℃~+85℃
  • -40℃~+105℃
  • -40℃~+125℃
  • 0℃~+70℃

包装/方式

  • 托盘
  • 管装
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 64
综合排序 价格 库存
-
-
清空
符合条件商品:共64件
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • MR45V256AMAZAAT-L
  • 品牌: ROHM Semiconductor
  • 封装: SOP-8
  • 描述: MR45V256A 是一个非易失性的 32,768 字 x 8 位铁电随机存取存储器 (FeRAM),使用串行外设接口 (SPI) 访问。该设备在写入和读取耐受性方面表现优异,支持 10^12 次写入/读取循环,数据保持时间为 10 年。工作温度范围为 -40 至 85°C。
  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:256Kbit
  • 工作电压:3V~3.6V
  • 工作电流:10mA
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • MB85RS64VPNF-G-JNERE1
  • 品牌:
  • 封装: SOP-8
  • 描述: MB85RS64V是一款8位铁电存储器,采用铁电工艺和硅门CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。它支持SPI接口,最高工作频率为20 MHz,工作电压范围为3.0 V到5.5 V,工作温度范围为-40 °C到+85 °C。该存储器无需备用电池即可保留数据,写入数据时不需要等待时间。
  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:64Kbit
  • 工作电压:3V~5.5V
  • 工作电流:1.5mA
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • MB85RS64TPNF-G-JNERE2
  • 品牌:
  • 封装: SOP-8
  • 描述: 是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)。无需像SRAM那样使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³次读写操作,相较于闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提升。写入数据时不像闪存或E²PROM那样需要很长时间,也无需等待时间。
  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:64Kbit
  • 工作电压:1.8V~3.6V
  • 工作电流:800uA
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • MB85RS64PNF-G-JNERE1
  • 品牌:
  • 封装: SOP-8
  • 描述: 64-Kbit(8K × 8bit),SPI接口,工作电压:3.0V to 3.6V
  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:64Kbit
  • 工作电压:2.7V~3.6V
  • 工作电流:1.5mA
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:512Kbit
  • 工作电压:1.8V~3.6V
  • 工作电流:10mA
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1
  • 品牌:
  • 封装: SOP-8
  • 描述: 是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片,采用 262,144 字 × 8 位配置,使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI),无需使用备用电池即可保留数据,存储单元可进行 10¹³ 次读/写操作,写入数据无需像闪存或 EPROM 那样等待。
  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:2Mbit
  • 工作电压:1.8V~3.6V
  • 工作电流:1.9mA
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • MB85RS256TYPNF-G-BCERE1
  • 品牌:
  • 封装: SOP-8
  • 描述: MB85RS256TY是一款铁电随机存取存储器(FeRAM)芯片,配置为32,768字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。该产品专门针对高温环境,如汽车应用。MB85RS256TY采用串行外设接口(SPI)
  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:256Kbit
  • 工作电压:1.8V~3.6V
  • 工作电流:2.3mA
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:256Kbit
  • 工作电压:2.7V~3.6V
  • 工作电流:5mA
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • MB85RS1MTPNF-G-JNERE1
  • 品牌:
  • 封装: SOP-8
  • 描述: MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,配置为131,072字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口(SPI)。
  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:1Mbit
  • 工作电压:1.8V~3.6V
  • 工作电流:5.7mA
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • MB85RS16PNF-G-JNERE1
  • 品牌:
  • 封装: SOIC-8
  • 描述: 16-Kbit(2K × 8bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.6V
  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:16Kbit
  • 工作电压:2.7V~3.6V
  • 工作电流:2.4mA
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
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