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变容二极管

”共 25件相关商品

品牌

  • DIODES(美台)
  • Infineon(英飞凌)
  • MACOM
  • MICROCHIP(美国微芯)
  • Nexperia(安世)
  • NTE ELECTRONICS, INC.
  • NXP(恩智浦)
  • onsemi(安森美)
  • PANASONIC(松下)
  • RENESAS(瑞萨)/IDT
  • SANYO DENKI(山洋)
  • SHIKUES(时科)
  • SKYWORKS
  • SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)
  • Sprague-Goodman
  • ST(先科)
  • TOSHIBA(东芝)

封装/规格

  • -
  • 0402
  • 0805
  • BGA-2
  • DFN1006-2(SOD-882)
  • DFN1006-3(SOT-883)
  • DO-35
  • ECSP1008-2
  • SCD80-2
  • SMD
  • SMD,0.7x0.4mm
  • SOD-323(SC-90)
  • SOD-523(SC-79)
  • SOT-23(TO-236)
  • SOT-23-3
  • SOT-23-3L
  • SOT-323(SC-70)
  • TO-92
  • TO-92-2
  • UFP-2
  • 插件

二极管配置

  • -
  • 1对共阳极
  • 1对共阴极
  • 独立式

直流反向耐压(Vr)

  • -
  • 6V
  • 10V
  • 12V
  • 15V
  • 16V
  • 18V
  • 20V
  • 22V
  • 24V
  • 25V
  • 26V
  • 27V
  • 28V
  • 29V
  • 30V
  • 32V
  • 34V
  • 60V
  • 75V

二极管电容(CT)

  • -
  • 0.2pF@10V,1MHz
  • 0.27pF@4V,1MHz
  • 0.3pF@4V,1MHz
  • 0.34pF@20V,50MHz
  • 0.4pF@6V,1MHz
  • 0.42pF@4V,1MHz
  • 0.43pF@20V,50MHz
  • 0.45pF@4V,1MHz
  • 0.5pF@4V,1MHz
  • 0.5pF@6V,1MHz
  • 0.52pF@28V,1MHz
  • 0.55pF@4V,1MHz
  • 0.6pF@4V,1MHz
  • 0.61pF@6V,50MHz
  • 0.7pF@4V,1MHz
  • 0.76pF@25V,1MHz
  • 0.77pF@4V,1MHz
  • 0.78pF@4.7V,50MHz
  • 0.83pF@26V,1MHz
  • 0.94pF@6V,500MHz
  • 1pF@4V,1MHz
  • 1.055pF@28V,1MHz
  • 1.1pF@0V,1MHz
  • 1.1pF@4V,1MHz
  • 1.1pF@6V,50MHz
  • 1.2pF@6V,1MHz
  • 1.2pF@28V,1MHz
  • 1.2pF@4V,1MHz
  • 1.25pF@18V,1MHz
  • 1.3pF@20V,1MHz
  • 1.32pF@4V,1MHz
  • 1.45pF@4V,1MHz
  • 1.5pF@4V,1MHz
  • 1.5pF@3V,1MHz
  • 1.7pF@4.7V,50MHz
  • 1.8pF@8V,1MHz
  • 1.8pF@4V,1MHz
  • 1.81pF@4V,1MHz
  • 1.98pF@4V,1MHz
  • 已显示前 40 项,共 153 项,请输入关键词搜索

电容比

  • -
  • 1.08@C25V/C28V
  • 1.3@C4V/C6V
  • 1.71@C2V/C8V
  • 1.75@C2V/C8V
  • 1.8@C1V/C4V
  • 1.8@C2V/C12V
  • 1.9@C0V/C30V
  • 2@C1V/C4V
  • 2.04@C1V/C3V
  • 2.1@C1V/C4V
  • 2.2@C2V/C10V
  • 2.2@C1V/C3V
  • 2.2@C1V/C4V
  • 2.25@C2V/C8V
  • 2.3@C4V/C20V
  • 2.3@C1V/C4V
  • 2.34@C2V/C8V
  • 2.4@C2V/C10V
  • 2.5@C0.2V/C2.3V
  • 2.5@C0.5V/C2.5V
  • 2.5@C2V/C10V
  • 2.5@C1V/C6V
  • 2.55@C0.5V/C2.5V
  • 2.6@C1V/C4V
  • 2.6@C3V/C8V
  • 2.62@C1V/C4V
  • 2.7@C0.5V/C2.5V
  • 2.7@C2V/C31V
  • 2.8@C1V/C6V
  • 2.8@C4V/C20V
  • 2.8@C0V/C30V
  • 2.9@C2V/C32V
  • 2.9@C2V/C33V
  • 3@C2V/C30V
  • 3@C1V/C4V
  • 3.2@C0.5V/C3V
  • 3.2@C2V/C30V
  • 3.3@C1V/C4V
  • 3.3@C1V/C7.5V
  • 已显示前 40 项,共 134 项,请输入关键词搜索

反向电流(Ir)

  • -
  • 3nA@10V
  • 3nA@15V
  • 5nA@6V
  • 10nA@30V
  • 10nA@10V
  • 10nA@32V
  • 10nA
  • 10nA@6V
  • 10nA@28V
  • 10nA@4V
  • 20nA@30V
  • 20nA@28V
  • 20nA@16V
  • 20nA@26V
  • 100nA@10V
  • 5uA@10V

串联电阻(Rs)

  • -
  • 150mΩ
  • 270mΩ
  • 280mΩ
  • 400mΩ
  • 420mΩ
  • 500mΩ
  • 600mΩ
  • 750mΩ
  • 900mΩ
  • 1Ω
  • 1.15Ω
  • 1.4Ω
  • 1.5Ω
  • 2.4Ω

工作温度

  • -
  • -65℃~+175℃@(Ta)
  • -65℃~+125℃
  • -65℃~+175℃
  • -65℃~+150℃@(Tj)
  • -65℃~+150℃
  • -55℃~+150℃
  • -55℃~+175℃@(Tj)
  • -55℃~+125℃@(Ta)
  • -55℃~+125℃
  • -55℃~+125℃@(Tj)
  • -55℃~+100℃@(Ta)
  • -55℃~+150℃@(Ta)
  • -55℃~+85℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -40℃~+125℃
  • -40℃~+125℃@(Tj)

包装/方式

  • 托盘
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 25
综合排序 价格 库存
-
-
清空
符合条件商品:共25件
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • MAVR-000120-14110P
  • 品牌: MACOM
  • 封装: SMD,0.7x0.4mm
  • 描述: 是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。该器件采用OMcVD外延片制造,工艺旨在实现高器件均匀性和极低寄生效应。该二极管采用氮化硅完全钝化,并额外有一层聚酰亚胺用于防刮保护。保护涂层可防止在自动或手动操作过程中对结造成损坏。倒装芯片配置适用于贴装插入。
  • 反向电流(Ir):100nA@14V
  • 二极管电容(CT):0.4pF@4V,1MHz;0.2pF@10V,1MHz
  • 工作结温范围:-40℃~+125℃
  • 封装/外壳:SMD,0.7x0.4mm
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • HVU202B
  • 品牌: SHIKUES
  • 封装: SOD-323
  • 描述: 特性:优秀的线性度。 高电容比:C₁₍₁V₎ / C₄₍₄V₎ > 6.2。 低串联电阻:rs ≤ 0.6 Ω。 封装:SOD-323
  • 二极管配置:独立式
  • 直流反向耐压(Vr):28V
  • 反向电流(Ir):10nA@28V
  • 二极管电容(CT):17pF
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • BBY6602VH6327XTSA1
  • 品牌: Infineon
  • 封装: SC-79-2
  • 描述: 特性:高电容比。 高Q超突变调谐二极管。 低串联电阻。 专为移动通信设备中压控振荡器的低调谐电压操作而设计。 极低的电容散布。 无铅(符合RoHS标准)封装。 根据AEC Q101标准认证
  • 二极管配置:独立式
  • 直流反向耐压(Vr):12V
  • 二极管电容(CT):13.5pF@4.5V,1MHz
  • 电容比:5.41@C1V/C4.5V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • BBY5802VH6327XTSA1
  • 品牌: Infineon
  • 封装: SC-79-2
  • 描述: 用于移动通信设备中压控振荡器(VCO)的低调谐电压操作,也适用于如温补晶振(TCXOs)和压控晶振(VCXOs)等低频控制元件。
  • 二极管配置:独立式
  • 直流反向耐压(Vr):10V
  • 反向电流(Ir):10nA
  • 二极管电容(CT):5.5pF@6V,1MHz
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • BBY5702VH6327XTSA1
  • 品牌: Infineon
  • 封装: SC-79-2
  • 描述: 二极管配置 独立式 直流反向耐压(Vr) 10V 二极管电容(CT) 5.5pF@4V,1MHz 电容比 4.5@C1V/C4V 工作结温范围 -55℃~+125℃@(Tj) 封装/外壳 SC-79-2
  • 二极管配置:独立式
  • 直流反向耐压(Vr):10V
  • 二极管电容(CT):5.5pF@4V,1MHz
  • 电容比:4.5@C1V/C4V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • BB910
  • 品牌: SHIKUES
  • 封装: SOD-323
  • 描述: 特性:优秀的线性度。 电容比:C(0.5V)/C(5.0V) = 3.25(典型值)。 低串联电阻:rs ≤ 0.8Ω。 封装:SOD-323。应用:FM收音机中的频率调制。 通信设备中的FM和AFC
  • 二极管配置:独立式
  • 直流反向耐压(Vr):6V
  • 反向电流(Ir):10nA@6V
  • 二极管电容(CT):45pF
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • BB535E7904HTSA1
  • 品牌: Infineon
  • 封装: SOD-323
  • 描述: 用于 UHF 电视调谐器,具有高电容比、低串联电感、低串联电阻的特点,由于采用“在线”匹配组装程序,具有出色的均匀性和匹配性,采用无铅(符合 RoHS)封装。
  • 二极管配置:独立式
  • 直流反向耐压(Vr):30V
  • 反向电流(Ir):10nA
  • 二极管电容(CT):2.3pF@28V,1MHz
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • BB172X
  • 品牌: NXP
  • 封装: SOD-323
  • 描述: 二极管配置 独立式 直流反向耐压(Vr) 32V 反向电流(Ir) 10nA 二极管电容(CT) 2.754pF@28V,1MHz 串联电阻(Rs) 650mΩ 电容比 15@C1V/C28V 工作结温范围 -55℃~+125℃@(Tj) 封装/外壳 SOD-323
  • 二极管配置:独立式
  • 直流反向耐压(Vr):32V
  • 反向电流(Ir):10nA
  • 二极管电容(CT):2.754pF@28V,1MHz
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • BB133
  • 品牌: SHIKUES
  • 封装: SOD-323
  • 描述: 可变电容二极管采用平面技术制造,并封装在SOD323超小型塑料SMD封装中。通过滑动匹配和直接匹配组装程序实现了出色的匹配性能。
  • 二极管配置:独立式
  • 直流反向耐压(Vr):30V
  • 反向电流(Ir):10nA
  • 二极管电容(CT):46pF
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • BB 914 E6327
  • 品牌: Infineon
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 特性:适用于扩展频段的FM收音机调谐器。 低电源电压下具有高调谐比(汽车收音机)。 单片芯片(共阴极),可实现完美的双二极管跟踪。 C-V曲线具有良好的线性度。 高品质因数。 无铅(符合RoHS标准)封装
  • 二极管配置:1对共阴极
  • 直流反向耐压(Vr):18V
  • 反向电流(Ir):20nA@16V
  • 二极管电容(CT):18.7pF@8V,1MHz
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
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