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数字晶体管

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  • 已显示前 40 项,共 53 项,请输入关键词搜索

封装/规格

  • -
  • DFN-3(1.2x1.4)
  • DFN-3(1x1)
  • DFN-3(1x1.1)
  • DFN-6(1x1)
  • DFN1006-3(SOT-883)
  • EMT-3
  • ESM
  • Mini5-G3-B
  • QFN-8
  • S-Mini
  • S-MiNi
  • SC-105AA
  • SC-88
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  • SIP-3
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  • SMD-5P
  • SMD-6P
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  • SMiNi6-G1
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  • SOP-8
  • SOT-1123
  • SOT-143
  • SOT-223
  • SOT-23(TO-236)
  • SOT-23-3L
  • SOT-23-5
  • SOT-23-6
  • SOT-323(SC-70)
  • SOT-353
  • SOT-363
  • SOT-523(SC-75)
  • SOT-553
  • SOT-563
  • SOT-663
  • SOT-723
  • SOT-89
  • SOT-963
  • 已显示前 40 项,共 50 项,请输入关键词搜索

晶体管类型

  • -
  • 1个NPN-预偏置
  • 1个NPN-预偏置+二极管
  • 1个PNP-预偏置
  • 1个PNP-预偏置+二极管
  • 1个NPN-预偏置,1个NPN
  • 1个NPN-预偏置,1个PNP
  • 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
  • 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置(基集电极结)
  • 1个PNP-预偏置,1个NPN
  • 2个NPN-预偏置
  • 2个NPN-预偏置(发射极耦合)
  • 2个PNP-预偏置
  • 2个PNP-预偏置(发射极耦合)
  • NPN
  • PNP

耗散功率(Pd)

  • -
  • 100mW
  • 120mW
  • 125mW
  • 150mW
  • 180mW
  • 187mW
  • 200mW
  • 202mW
  • 225mW
  • 230mW
  • 235mW
  • 246mW
  • 250mW
  • 254mW
  • 256mW
  • 260mW
  • 270mW
  • 280mW
  • 285mW
  • 290mW
  • 300mW
  • 310mW
  • 320mW
  • 325mW
  • 330mW
  • 338mW
  • 339mW
  • 340mW
  • 350mW
  • 357mW
  • 360mW
  • 385mW
  • 400mW
  • 408mW
  • 420mW
  • 425mW
  • 460mW
  • 480mW
  • 500mW
  • 已显示前 40 项,共 47 项,请输入关键词搜索

集电极电流(Ic)

  • -
  • 100uA
  • 10mA
  • 20mA
  • 30mA
  • 50mA
  • 60mA
  • 70mA
  • 80mA
  • 100mA
  • 150mA
  • 200mA
  • 400mA
  • 500mA
  • 600mA
  • 700mA
  • 800mA
  • 1A
  • 1.5A
  • 1.8A
  • 2A
  • 3A

集射极击穿电压(Vceo)

  • -
  • 12V
  • 15V
  • 20V
  • 30V
  • 40V
  • 45V
  • 50V
  • 60V
  • 70V
  • 80V

直流电流增益(hFE)

  • -
  • 3@5mA,10V
  • 3@10V
  • 3@10mA,10V
  • 3@5.0mA,10V
  • 6@5mA,10V
  • 8@5.0mA,10V
  • 8@5mA,10V
  • 8@10mA,10V
  • 15@5.0mA,10V
  • 15@10V
  • 15@10mA,10V
  • 15@5mA,10V
  • 20@20mA,10V
  • 20@20mA,5V
  • 20@50mA,5V
  • 20
  • 20@5mA,5V
  • 20@5mA,10V
  • 20@10mA,5V
  • 22@10mA,5V
  • 24@10mA,5V
  • 30@100uA,5V
  • 30@20mA,10V
  • 30@20mA,5V
  • 30@5V
  • 30@5mA,10V
  • 30@10mA,5V
  • 30@5mA,5V
  • 33@5V
  • 33@5mA,5V
  • 33@50mA,5V
  • 33@10mA,5V
  • 35@10mA,10V
  • 35@5mA,10V
  • 35@10mA,5V
  • 35@5.0mA,10V
  • 35@5mA,5V
  • 39@50mA,5V
  • 40@5mA,5V
  • 已显示前 40 项,共 145 项,请输入关键词搜索

输入电阻

  • -
  • 13Ω
  • 61.1Ω
  • 1kΩ
  • 1.3kΩ
  • 2.2kΩ
  • 2.86kΩ
  • 2.9kΩ
  • 3.3kΩ
  • 4.7kΩ
  • 6.1kΩ
  • 6.11kΩ
  • 6.2kΩ
  • 8.84kΩ
  • 10kΩ
  • 13kΩ
  • 22kΩ
  • 28.6kΩ
  • 47kΩ
  • 61kΩ
  • 61.1kΩ
  • 100kΩ
  • 130kΩ

电阻比率

  • -
  • 0.047
  • 0.056
  • 0.1
  • 0.185
  • 0.21
  • 0.213
  • 0.47
  • 1
  • 1.16
  • 1.2
  • 2.1
  • 2.13
  • 2.14
  • 4.5
  • 4.54
  • 4.7
  • 5.5
  • 5.7
  • 10
  • 12
  • 21
  • 26

最小输入电压(VI(on))

  • -
  • 300mV
  • 400mV
  • 500mV@100uA,5V
  • 500mV
  • 700mV
  • 750mV
  • 800mV
  • 810mV
  • 900mV
  • 910mV
  • 950mV
  • 1V
  • 1.1V
  • 1.15V
  • 1.2V
  • 1.22V
  • 1.25V
  • 1.3V@2mA,0.3V
  • 1.3V@5mA,0.3V
  • 1.3V
  • 1.4V@1mA,0.3V
  • 1.4V@1mA,5V
  • 1.4V
  • 1.5V
  • 1.6V
  • 1.65V
  • 1.7V
  • 1.8V
  • 1.9V
  • 2V
  • 2V@5mA,0.2V
  • 2.1V
  • 2.2V
  • 2.4V
  • 2.5V
  • 2.6V
  • 2.7V
  • 3V
  • 3V@5mA,0.2V
  • 已显示前 40 项,共 45 项,请输入关键词搜索

最大输入电压(VI(off))

  • -
  • 100mV
  • 300mV@100uA,5V
  • 300mV
  • 400mV
  • 500mV@100uA,5V
  • 500mV
  • 595mV
  • 600mV
  • 650mV
  • 670mV
  • 690mV
  • 700mV
  • 750mV
  • 800mV
  • 900mV
  • 1V
  • 1.1V
  • 1.16V
  • 1.2V
  • 1.3V
  • 1.4V
  • 1.5V
  • 1.6V
  • 1.7V
  • 1.8V
  • 1.9V
  • 2.4V
  • 2.5V
  • 2.6V
  • 3V
  • 3V@20mA,0.3V
  • 3.1V
  • 3.6V
  • 4.9V

输出电压(VO(on))

  • -
  • 40mV
  • 50mV
  • 60mV
  • 70mV
  • 100mV@10mA,0.5mA
  • 100mV
  • 150mV
  • 180mV
  • 200mV
  • 250mV
  • 300mV@10mA/0.5mA
  • 300mV@10mA,0.5mA
  • 300mV@50mA,2.5mA
  • 300mV@5mA,0.25mA
  • 300mV
  • 360mV
  • 880mV

工作温度

  • -
  • -65℃~+150℃
  • -55℃~+150℃
  • -55℃~+175℃
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -50℃~+150℃@(Tj)
  • -40℃~+150℃
  • -25℃~+150℃
  • +150℃@(Tj)

包装/方式

  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 1028
综合排序 价格 库存
-
-
清空
符合条件商品:共1028件
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • UML2N
  • 品牌: CJ
  • 封装: SOT-353
  • 描述: 档位120-560
  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流(Ic):150mA
  • 集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 耗散功率(Pd):150mW
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • UMH9NTN
  • 品牌: ROHM Semiconductor
  • 封装: SOT-363
  • 描述: 特性:内置偏置电阻。 一个封装内有两个DTC114Y芯片。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,且完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,使电路设计简单。 无铅/符合RoHS标准。应用:反相器电路。 接口电路
  • 数量:2个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 集电极电流(Ic):100mA
  • 耗散功率(Pd):150mW
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • UMH9NFHATN
  • 品牌: ROHM
  • 封装: SOT-363
  • 描述: 特性:两个DTC114Y芯片封装在UMT6中。 可使用UMT3自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将贴装成本和面积降低一半。应用:逆变器。 接口
  • 数量:2个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 集电极电流(Ic):100mA
  • 耗散功率(Pd):150mW
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • UMH9N
  • 品牌: CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装: SOT-363
  • 描述: 特性:一个封装中包含两个DTC114Y芯片。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将安装成本和面积减半
  • 数量:2个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 集电极电流(Ic):100mA
  • 耗散功率(Pd):150mW
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • UMH9N
  • 品牌: YANGJIE(扬杰)
  • 封装: SOT-363
  • 描述: 特性:一个封装中包含两个DTC114Y芯片。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将安装成本和面积减半
  • 数量:2个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 集电极电流(Ic):100mA
  • 耗散功率(Pd):150mW
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • UMH4NTN
  • 品牌: ROHM Semiconductor
  • 封装: SOT-363
  • 描述: 特性:内置偏置电阻。 一个封装内有两个DTC114T芯片。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,还能完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计简单。 无铅/RoHS合规。应用:反相器电路。 接口电路
  • 数量:2个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 集电极电流(Ic):100mA
  • 耗散功率(Pd):150mW
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • UMH3NTN
  • 品牌: ROHM Semiconductor
  • 封装: SOT-363
  • 描述: 特性:两个DTC143T芯片封装在EMT、UMT或SMT中。 可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将安装成本和面积减半。应用:逆变器。 接口
  • 数量:2个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 集电极电流(Ic):100mA
  • 耗散功率(Pd):150mW
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • UMH3N
  • 品牌: CJ
  • 封装: SOT-363
  • 描述: 特性:一个封装中包含两个DTC143T芯片。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将安装成本和面积减半
  • 数量:2个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 集电极电流(Ic):100mA
  • 耗散功率(Pd):150mW
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • UMH33NTN
  • 品牌: ROHM
  • 封装: SOT-363
  • 描述: 特性:内置偏置电阻,R1 = 2.2kΩ。 一个封装中有两个DTC923TUB芯片。 发射极到基极的高击穿电压,BVE_EBO在IE = 50μA时最小为40V。 低输出导通电阻,R_ON在VI = 5V时典型值为0.6Ω。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。应用:MUTING
  • 数量:2个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo):20V
  • 集电极电流(Ic):400mA
  • 耗散功率(Pd):150mW
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • UMH2N-TN
  • 品牌: ROHM
  • 封装: SOT-363
  • 描述: 特性:两个DTC144E芯片封装于EMT、UMT或SMT封装中。 可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行安装。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将安装成本和面积减半。应用:逆变器。 接口
  • 数量:2个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 集电极电流(Ic):100mA
  • 耗散功率(Pd):150mW
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
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