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专业电源管理(PMIC)

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封装/规格

  • -
  • 2QFN-8(5x5)
  • 2QFN-8(6x6)
  • 3DSBGA-4
  • 3TSSOP-8
  • 4QFN-8(7x7)
  • BGA-100
  • BGA-113
  • BGA-12
  • BGA-120
  • BGA-124
  • BGA-130
  • BGA-139
  • BGA-144
  • BGA-155
  • BGA-159
  • BGA-16
  • BGA-168
  • BGA-169
  • BGA-186
  • BGA-187
  • BGA-196
  • BGA-206
  • BGA-208
  • BGA-209
  • BGA-22
  • BGA-237
  • BGA-25
  • BGA-30
  • BGA-330
  • BGA-34
  • BGA-42
  • BGA-44
  • BGA-46
  • BGA-48
  • BGA-49
  • BGA-55
  • BGA-6
  • BGA-72
  • BGA-77
  • 已显示前 40 项,共 434 项,请输入关键词搜索

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 374
综合排序 价格 库存
-
-
清空
符合条件商品:共374件
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • ZABG6003JA16TC
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: QFN-16-EP(3x3)
  • 描述: 该系列设备旨在以最少的外部组件满足卫星接收器低噪声模块 (LNB) 中常用的 GaAs 和 HEMT FET 的偏置要求,同时在最小电压电源下运行并使用最小电流。该设备有六个 FET 偏置级。为了优化系统的噪声和增益,六个级中的两个级的漏极电流可以在 4mA 至 15mA 的范围内进行编程。通过连接到 RCAL1 引脚的电阻器来实现对 FET D1 和 D4 的漏极电流的编程。其余四个 FET D2、D3、D5 和 D6 的漏极电流在内部设置为 10mA。放大器级的漏极电压设置为 2.0V,并限制电流至其相关 RCAL 电阻器设置的近似电流
  • 功能特性:可调限流;过流保护
  • 封装/外壳:QFN-16-EP(3x3)
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZABG4003JA16TC
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: QFN-16-EP(3x3)
  • 描述: 该系列设备旨在以最少的外部组件满足卫星接收器LNB中常用的GaAs和HEMT FET的偏置要求,同时在最小电压电源下运行并使用最小电流。有四个FET偏置级,可通过连接到R(CAL1)和R(CAL2)引脚的电阻进行编程,以提供恒定漏极电流,允许输入FET偏置以实现最佳噪声,放大器FET偏置以实现最佳增益。放大器FET可以在4至15mA的电流范围内工作。放大器级的漏极电压设置为2.0V,并通过相关的R(CAL)电阻将电流限制在大约设定值。包括一个集成的开关电容DC-DC转换器,可产生-2V的稳压输出,以实现单电源操作。设计用于2.1V至5.0V的电源轨,V(DD)范围扩展到5.5V,以允许10%的电源变化
  • 功能特性:可调限流;过流保护
  • 封装/外壳:QFN-16-EP(3x3)
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • 封装/外壳:VQFN-56
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • WL2868C-20/TR
  • 品牌: WILLSEMI
  • 封装: CSP-20L
  • 描述: WL2868C是一款集成了7个低压差线性稳压器(LDO)的电源管理集成电路(PMIC),该PMIC有2个低压差LDO用于大电流数字电源(DVDD),还有5个高电源抑制比(PSRR)的LDO用于对噪声敏感的电源轨。这些LDO的输出电压和上电顺序可通过I2C接口进行设置。WL2868C还集成了带有中断指示的故障监测功能
  • 功能特性:上电时序控制;工作状态指示;输出放电;过流保护;内置LDO稳压器
  • 接口:I2C
  • 输入电压:0.6V~3V;3.1V~5.5V;2.1V~5.5V
  • 输出电压:1.504V~3.544V;0.496V~1.512V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • VPS8703
  • 品牌: VPSC
  • 封装: ESOP-8
  • 描述: VPS8703 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现 6.5~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 15W 的隔离电源。 VPS8703 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET,并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号,能有效确保两路功率 MOSFET 驱动的高度对称性,避免电路在工作过程发生偏磁。
  • 工作电压:6.5V~30V
  • 功率管耐压:30V
  • 功率管耐流:500mA
  • 功率管导通电阻:250mΩ;600mΩ
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • VPS8702
  • 品牌: VPSC
  • 封装: SOT-23-6
  • 描述: VPS8702/S 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现 3-6V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 3W 的隔离电源。 VPS8702/S 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET,并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号,能有效确保两路功率 MOSFET 驱动的高度对称性,避免电路在工作过程发生偏磁。
  • 工作电压:3V~6V
  • 功率管耐流:500mA
  • 静态电流(Iq):1mA
  • 工作温度:-40℃~+125℃
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • VPS8701
  • 品牌: VPSC(源特科技)
  • 封装: SOT-23-6
  • 描述: VPS8701B 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现6~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率1~2W 的隔离电源。 VPS8701B 内部集成两个N 沟道功率MOSFET 和两个P 沟道功率MOSFET,并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号,能有效确保两路功率MOSFET 驱动的高度对称性,避免电路在工作过程发生偏磁。
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • VPS8505
  • 品牌: VPSC
  • 封装: SOT-23-6
  • 描述: VPS8505 是一款专门为小体积、低待机功耗微功率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现3.3V 或5V 输入、 3.3V~24V 输出、输出功率1~3W 的隔离电源。 VPS8505 芯片内部集成振荡器,提供一对高精度互补信号以驱动两个N 沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计,能有效确保两个功率MOSFET 的高度对称性,避免电路在工作过程发生偏磁。
  • 工作电压:2.3V~6V
  • 功率管耐压:24V
  • 功率管耐流:1A
  • 功率管导通电阻:90mΩ
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • VPS8504C
  • 品牌: VPSC
  • 封装: SOT-23-5
  • 描述: VPS8504B\C 是两款专门为小体积、低待机功耗微功率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现 3.3V 或 5V 输入、3.3V~24V 输出、输出功率 1~3W 的隔离电源。 它们内部集成振荡器,提供一对高精度互补信号以驱动两个 N 沟道 MOSFET。芯片内部按照对称结构设计,能有效确保两个功率 MOSFET 的高度对称性,避免电路在工作过程发生偏磁。
  • 工作电压:2.8V~6V
  • 功率管耐压:24V
  • 功率管耐流:1A
  • 功率管导通电阻:90mΩ
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • VPS8504B
  • 品牌: VPSC
  • 封装: SOT-23-6
  • 描述: VPS8504B是一款专门为小体积、低待机功耗微功率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现3.3V或5V输入、3.3V-24V输出、输出功率1-3W的隔离电源。
  • 工作电压:2.8V~6V
  • 功率管耐压:24V
  • 功率管耐流:1A
  • 功率管导通电阻:90mΩ
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
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