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当前“

栅极驱动光耦

”共 20件相关商品

封装/规格

  • -
  • DIP-8
  • SMD-5P
  • SMD-8P
  • SMD-8P,9.7x6.5mm
  • SOP-16
  • SOP-16-300mil
  • SOP-24
  • SOP-4
  • SOP-4-2.54mm
  • SOP-6
  • SOP-6-300mil
  • SOP-6-6.8mm
  • SOP-6-W
  • SOP-8
  • SOP-8-2.54mm
  • SOP-8-400mil
  • SOP-8-6.6mm
  • SOP-8-6.8mm
  • SSOP-6

品牌

  • AOTE(奥特)
  • Broadcom(博通)
  • Broadcom/AVAGO(安华高)
  • GME(银河微电)
  • ISOMICRON(安芯微半导体)
  • KTP(科泰普)
  • LITEON(光宝)
  • MTC(美禄)
  • onsemi(安森美)
  • Orient(奥伦德)
  • PANASONIC(松下)
  • SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)
  • Slkor(萨科微)
  • TOSHIBA(东芝)
  • VISHAY(威世)

负载类型

  • -
  • IGBT
  • MOSFET

通道数

  • -
  • 1
  • 2

CMTI(kV/us)

  • -
  • 10kV/us
  • 15kV/us
  • 20kV/us
  • 25kV/us
  • 30kV/us
  • 35kV/us
  • 50kV/us
  • 60kV/us

输出电压

  • -
  • 8V~18V
  • 10V~30V
  • 15V~30V
  • 15V~25V

峰值输出电流

  • -
  • 0.4A
  • 0.6A
  • 1A
  • 1.5A
  • 2.5A
  • 3A
  • 4A
  • 5A

传播延迟 tpHL

  • -
  • 120ns
  • 150ns
  • 200ns
  • 250ns
  • 0.3us
  • 300ns
  • 400ns
  • 500ns
  • 0.5us
  • 0.7us

传播延迟 tpLH

  • -
  • 120ns
  • 150ns
  • 200ns
  • 0.2us
  • 250ns
  • 300ns
  • 400ns
  • 500ns
  • 0.5us
  • 0.7us

PWD-脉宽失真

  • -
  • 40ns
  • 50ns
  • 70ns
  • 80ns
  • 100ns
  • 140ns
  • 150ns
  • 0.3us
  • 300ns
  • 350ns
  • 700ns

隔离电压(Vrms)

  • 2500V
  • 3750V
  • 4243V
  • 5000V

耗散功率(Pd)

  • -
  • 75mW
  • 250mW
  • 295mW
  • 550mW
  • 745mW
  • 850mW

工作温度

  • -40℃~+85℃
  • -40℃~+105℃
  • -40℃~+125℃
  • -40℃~+100℃
  • -40℃~+110℃

包装/方式

  • 托盘
  • 管装
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 20
综合排序 价格 库存
-
-
清空
符合条件商品:共20件
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • TLP5754(D4-TP,E(T
  • 品牌: TOSHIBA(东芝)
  • 封装: SOIC6_300MIL
  • 描述: 由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求,因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出,可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • 负载类型:IGBT;MOSFET
  • 通道数:1
  • CMTI(kV/us):20kV/us
  • 驱动侧工作电压:15V~30V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • TLP350(TP1,F)
  • 品牌: Toshiba
  • 封装: SOP-8-2.54mm
  • 描述: 是一款采用DIP8封装的光电耦合器,由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽,能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
  • 负载类型:IGBT;MOSFET
  • 通道数:1
  • CMTI(kV/us):15kV/us
  • 驱动侧工作电压:15V~30V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • 封装/外壳:SOP-5-300mil
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • LTV-5314-TP1
  • 品牌: LITEON
  • 封装: SMD-5P
  • 描述: 适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带有功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。光电耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +110℃ 的温度范围内得到保证。
  • 负载类型:IGBT;MOSFET
  • 通道数:1
  • CMTI(kV/us):35kV/us
  • 驱动侧工作电压:10V~30V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • HCPL-7710-000E
  • 品牌: Broadcom Limited
  • 封装: DIP-8
  • 描述: 采用8引脚DIP或SO-8封装形式,利用最新的CMOS IC技术,实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC,为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。
  • CMTI(kV/us):10kV/us
  • 传播延迟 tpHL:40ns
  • 传播延迟 tpLH:40ns
  • 隔离电压(Vrms):3.75kV
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • HCPL-3150-300E
  • 品牌: Broadcom
  • 封装: DIP-8
  • 描述: 该Broadcom HCPL-315X由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,HCPL-3150/315J可用于驱动一个分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。
  • 负载类型:MOSFET;IGBT
  • 通道数:1
  • CMTI(kV/us):15kV/us
  • 驱动侧工作电压:15V~30V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • HCPL-0302-000E
  • 品牌: Broadcom Limited
  • 封装: SOIC-8
  • 描述: 负载类型 IGBT;MOSFET 通道数 1 CMTI(kV/us) 10kV/us 驱动侧工作电压 10V~30V 峰值输出电流 400mA 传播延迟 tpHL 700ns 传播延迟 tpLH 700ns 隔离电压(Vrms) 3.75kV 工作温度 -40℃~+100℃ 封装/外壳 SOIC-8
  • 负载类型:IGBT;MOSFET
  • 通道数:1
  • CMTI(kV/us):10kV/us
  • 驱动侧工作电压:10V~30V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ACPL-W343-000E
  • 品牌: Broadcom Limited
  • 封装: SO-6
  • 描述: 包含一个AlGaAs LED,该LED与具有功率输出级的集成电路进行光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,该光耦合器可用于驱动一个分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。
  • 负载类型:IGBT;MOSFET
  • 通道数:1
  • CMTI(kV/us):50kV/us
  • 驱动侧工作电压:15V~30V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ACPL-W341-500E
  • 品牌: Broadcom Limited
  • 封装: SO-6-6.8mm
  • 描述: 包含一个AlGaAs LED,它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中,其绝缘电压分别最高可达VIOM = 891Vpeak和VIOM = 1140Vpeak。
  • 负载类型:IGBT;MOSFET
  • 通道数:1
  • CMTI(kV/us):35kV/us
  • 驱动侧工作电压:15V~30V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
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