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当前“

场效应管(MOSFET)

”共 20011件相关商品

品牌

  • ABB
  • ADI(亚德诺)
  • ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
  • AEI
  • AF(晶岳)
  • Agertech(艾吉芯)
  • AGM-Semi(芯控源)
  • ALD
  • ALJ(龙晶微)
  • ALLPOWER(铨力)
  • Alpha
  • AM(安美)
  • Amphenol
  • Ampleon(安谱隆)
  • AnBon(安邦)
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  • AOS
  • AP
  • APEC(富鼎)
  • APM(永源微电子)
  • Applied Power(应能微)
  • ARK(方舟微)
  • ASDsemi(安森德)
  • AWINIC(艾为)
  • Axelite(亚瑟莱特)
  • baocheng(宝乘)
  • BeRex
  • Bestirpower(萃锦半导体)
  • BL(上海贝岭)
  • BLUE ROCKET(蓝箭)
  • BORN(伯恩半导体)
  • Broadcom/AVAGO(安华高)
  • Bruckewell(隽佾)
  • California Eastern Laboratories
  • CASS(凯思)
  • Catalyst Semiconductor Inc.
  • CBI(创基)
  • Central(中环)
  • CET(华瑞)
  • 已显示前 40 项,共 244 项,请输入关键词搜索

封装/规格

  • -
  • 2-5N1A
  • 2-5Q1S
  • 440166
  • 440193
  • 440196
  • 440199
  • 440206
  • 440210
  • 440217
  • 440223
  • 440226
  • AG-EASY1B-2
  • AG-EASY1BM
  • ATPAK-3
  • BGA-12
  • BGA-18
  • BGA-30
  • BGA-4
  • BGA-532
  • BGA-6
  • BGA-7
  • BGA-9
  • CASE-211-11
  • CMFPAK-6
  • CMPAK-3
  • CRFM-4
  • CSMD-2P
  • D2PK
  • D3PAK
  • DE150
  • DFM-6
  • DFM-8
  • DFM8
  • DFN
  • DFN(2x2)
  • DFN(3.3x3.3)
  • DFN(3x3)
  • DFN(5x6)
  • DFN(5x6)(8-5-SOFL)
  • 已显示前 40 项,共 737 项,请输入关键词搜索

类型

  • -
  • 1个N沟道
  • 1个P沟道
  • 1个N沟道+1个P沟道
  • 2个N沟道
  • 2个P沟道
  • 2个N沟道+2个P沟道
  • 3个N沟道
  • 3个N沟道+3个P沟道
  • 4个N沟道
  • 4个P沟道
  • 5个N沟道
  • 6个N沟道

配置

  • -
  • 三相桥
  • 全桥
  • 共源
  • 共漏
  • 半桥

漏源电压(Vdss)

  • -
  • 4V
  • 5V
  • 6V
  • 7V
  • 7.5V
  • 8V
  • 9V
  • 10V
  • 10.6V
  • 12V
  • 12.5V
  • 14V
  • 15V
  • 16V
  • 16.5V
  • 17V
  • 18V
  • 19V
  • 19.5V
  • 20V
  • 22V
  • 24V
  • 25V
  • 28V
  • 30V
  • 32V
  • 33V
  • 34V
  • 35V
  • 36V
  • 38V
  • 40V
  • 42V
  • 45V
  • 48V
  • 49V
  • 50V
  • 52V
  • 55V
  • 已显示前 40 项,共 127 项,请输入关键词搜索

连续漏极电流(Id)

  • -
  • 12mA
  • 15mA
  • 16mA
  • 17mA
  • 20mA
  • 21mA
  • 24mA
  • 25mA
  • 29mA
  • 30mA
  • 34mA
  • 35mA
  • 39mA
  • 40mA
  • 43mA
  • 45mA
  • 50mA
  • 55mA
  • 60mA
  • 65mA
  • 70mA
  • 72mA
  • 73mA
  • 75mA
  • 80mA
  • 85mA
  • 90mA
  • 100mA
  • 110mA
  • 115mA
  • 120mA
  • 125mA
  • 127mA
  • 130mA
  • 135mA
  • 137mA
  • 139mA
  • 140mA
  • 149mA
  • 已显示前 40 项,共 1068 项,请输入关键词搜索

导通电阻(RDS(on))

  • -
  • 0.42mΩ@10V,50A
  • 0.5mΩ@10V,100A
  • 0.5mΩ@10V,80A
  • 0.55mΩ@10V,20A
  • 0.55mΩ@10V,100A
  • 0.55mΩ@10V,50A
  • 0.56mΩ@10V,30A
  • 0.56mΩ@10V,50A
  • 0.56mΩ@10V,80A
  • 0.57mΩ@10V,50A
  • 0.58mΩ@10V,20A
  • 0.6mΩ@10V,40A
  • 0.6mΩ@10V,50A
  • 0.62mΩ@10V,20A
  • 0.62mΩ
  • 0.64mΩ@10V,50A
  • 0.65mΩ@10V,30A
  • 0.65mΩ@10V,50A
  • 0.67mΩ@10V,370A
  • 0.67mΩ@10V,50A
  • 0.67mΩ@10V,20A
  • 0.67mΩ@10V,30A
  • 0.68mΩ@10V,50A
  • 0.7mΩ@10V,50A
  • 0.7mΩ@10V,160A
  • 0.7mΩ@10V,378A
  • 0.7mΩ@10V,20A
  • 0.7mΩ@10V,25A
  • 0.72mΩ@10V,50A
  • 0.74mΩ@10V,20A
  • 0.75mΩ@10V,40A
  • 0.75mΩ@10V,100A
  • 0.75mΩ@10V,80A
  • 0.75mΩ@10V,150A
  • 0.8mΩ@10V,100A
  • 0.8mΩ@10V,50A
  • 0.8mΩ@10V,160A
  • 0.8mΩ@10V,20A
  • 0.81mΩ@10V,50A
  • 已显示前 40 项,共 5000 项,请输入关键词搜索

阈值电压(Vgs(th))

  • -
  • 150mV
  • 180mV
  • 200mV
  • 220mV
  • 250mV
  • 300mV
  • 350mV
  • 370mV
  • 380mV
  • 390mV
  • 400mV
  • 420mV
  • 440mV
  • 450mV
  • 470mV
  • 500mV
  • 510mV
  • 520mV
  • 530mV
  • 550mV
  • 560mV
  • 570mV
  • 600mV
  • 610mV
  • 620mV
  • 630mV
  • 640mV
  • 650mV
  • 670mV
  • 680mV
  • 700mV
  • 710mV
  • 720mV
  • 750mV
  • 760mV
  • 780mV
  • 790mV
  • 800mV
  • 810mV
  • 已显示前 40 项,共 169 项,请输入关键词搜索

输入电容(Ciss@Vds)

  • -
  • 3.5pF@15V
  • 4pF@2V
  • 5pF@10V
  • 6pF@10V
  • 6.5pF@10V
  • 7pF@10V
  • 7.1pF
  • 7.8pF@3V
  • 8.5pF@3V
  • 9pF@3V
  • 9.1pF@3V
  • 9.3pF@3V
  • 9.5pF@3V
  • 9.5pF@10V
  • 10pF@10V
  • 10pF@3V
  • 10pF@5V
  • 10.5pF@10V
  • 11pF@10V
  • 11.5pF@5V
  • 12pF@10V
  • 12pF
  • 12.3pF@5V
  • 12.5pF@15V
  • 12.8pF@10V
  • 12.8pF@15V
  • 12.9pF@12V
  • 13pF@10V
  • 13pF@5V
  • 13pF
  • 13.5pF@3V
  • 13.6pF@15V
  • 14pF
  • 14.1pF@15V
  • 15pF@5V
  • 15pF@0V
  • 15pF@50V
  • 15pF@25V
  • 15pF@30V
  • 已显示前 40 项,共 5000 项,请输入关键词搜索

耗散功率(Pd)

  • -
  • 0.15mW
  • 0.45mW
  • 0.47mW
  • 0.49mW
  • 0.9mW
  • 1.2mW
  • 6.25mW
  • 14.3mW
  • 20mW
  • 71mW
  • 80mW
  • 100mW
  • 120mW
  • 121mW
  • 125mW
  • 130mW
  • 140mW
  • 145mW
  • 150mW
  • 151mW
  • 155mW
  • 156mW
  • 160mW
  • 165mW
  • 170mW
  • 175mW
  • 180mW
  • 190mW
  • 200mW
  • 210mW
  • 220mW
  • 223mW
  • 225mW
  • 230mW
  • 236mW
  • 240mW
  • 250mW
  • 260mW
  • 265mW
  • 已显示前 40 项,共 1231 项,请输入关键词搜索

栅极电荷量(Qg)

  • -
  • 0.4pC@4.5V
  • 0.45pC@4.5V
  • 150pC@10V
  • 180pC@10V
  • 223pC@4.5V
  • 223pC
  • 230pC@4.5V
  • 270pC@4.5V
  • 280pC@10V
  • 280pC@4.5V
  • 280pC
  • 281pC@10V
  • 281pC@4.5V
  • 300pC
  • 300pC@4.5V
  • 300pC@10V
  • 304pC@4.5V
  • 304pC
  • 310pC@4.5V
  • 310pC@5V
  • 310pC
  • 320pC@4.5V
  • 340pC@4.5V
  • 350pC
  • 350pC@4.5V
  • 350pC@25V
  • 350pC@30V
  • 350pC@5V
  • 352pC
  • 360pC@10V
  • 360pC@4.5V
  • 360pC
  • 380pC@10V
  • 380pC@4.5V
  • 392pC@4.5V
  • 400pC@4.5V
  • 400pC@10V
  • 400pC@4V
  • 400pC
  • 已显示前 40 项,共 3918 项,请输入关键词搜索

反向传输电容(Crss)

  • -
  • 0.07pF@25V
  • 0.1pF@100V
  • 0.17pF@10V
  • 0.2pF@50V
  • 0.2pF@480V
  • 0.2pF@10V
  • 0.2pF
  • 0.25pF@5V
  • 0.27pF@25V
  • 0.3pF@50V
  • 0.3pF@100V
  • 0.3pF@10V
  • 0.3pF
  • 0.3pF@25V
  • 0.31pF@100V
  • 0.32pF@28V
  • 0.36pF
  • 0.36pF@100V
  • 0.4pF@400V
  • 0.4pF
  • 0.4pF@100V
  • 0.42pF@100V
  • 0.44pF
  • 0.5pF@400V
  • 0.5pF
  • 0.5pF@480V
  • 0.5pF@100V
  • 0.5pF@50V
  • 0.5pF@30V
  • 0.5pF@25V
  • 0.6pF
  • 0.6pF@30V
  • 0.6pF@50V
  • 0.6pF@100V
  • 0.6pF@400V
  • 0.65pF@100V
  • 0.68pF@100V
  • 0.7pF@10V
  • 0.7pF@100V
  • 已显示前 40 项,共 4739 项,请输入关键词搜索

工作温度

  • -
  • -65℃~+125℃
  • -65℃~+150℃@(Tj)
  • -65℃~+150℃
  • -65℃~+175℃
  • -65℃~+175℃@(Tj)
  • -65℃~+85℃
  • -65℃~+100℃
  • -65℃~+225℃
  • -55℃~+185℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃
  • -55℃~+175℃@(Tj)
  • -55℃~+125℃@(Ta)
  • -55℃~+125℃@(Tj)
  • -55℃~+135℃@(Tj)
  • -55℃~+200℃
  • -55℃~+155℃
  • -55℃~+175℃
  • -55℃~+155℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Tj);
  • -55℃~+175℃@(Ta)
  • -55℃~+125℃
  • -55℃~+70℃
  • -55℃~+50℃
  • -55℃~+100℃
  • -55℃~+185℃
  • -55℃~+170℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -55℃~+110℃@(Ta)
  • -55℃~+150℃@(Ta)
  • -55℃~+170℃
  • -50℃~+150℃
  • -50℃~+175℃@(Tj)
  • -50℃~+155℃
  • -50℃~+175℃
  • -50℃~+150℃@(Tj)
  • -50℃~+125℃
  • -45℃~+150℃
  • -45℃~+125℃@(Tj)
  • -45℃~+125℃
  • 已显示前 40 项,共 64 项,请输入关键词搜索

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 20011
综合排序 价格 库存
-
-
清空
符合条件商品:共20011件
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 数量:1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 连续漏极电流(Id):1.3A
  • 导通电阻(RDS(on)):500mΩ@5V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXMS6004FFQTA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-23F
  • 描述: 是一款具有逻辑电平输入的自保护低端智能场效应晶体管(IntelliFET MOSFET)。它集成了过温、过流、过压(有源钳位)和静电放电(ESD)保护的逻辑电平功能。ZXMS6004FFQ非常适合作为由3驱动的通用开关
  • 数量:1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 连续漏极电流(Id):1.3A
  • 导通电阻(RDS(on)):350mΩ@5V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • 数量:1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss):70V
  • 连续漏极电流(Id):5.7A
  • 导通电阻(RDS(on)):160mΩ@10V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXMP7A17GTA-VB
  • 品牌: VBsemi
  • 封装: SOT-223
  • 描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型MOSFET,采用Trench工艺,适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223;P—Channel沟道,-60V;-7A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
  • 数量:1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 连续漏极电流(Id):7A
  • 导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXMP7A17GTA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-223
  • 描述: 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
  • 数量:1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss):70V
  • 连续漏极电流(Id):3.7A
  • 导通电阻(RDS(on)):250mΩ@4.5V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXMP6A18KTC
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: TO-252(DPAK)
  • 描述: 此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,并提供生产件批准程序(PPAP)支持,适用于以下场景:断开开关。电机控制
  • 数量:1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 连续漏极电流(Id):10.4A
  • 导通电阻(RDS(on)):80mΩ@4.5V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXMP6A18DN8TA-VB
  • 品牌: VBsemi
  • 封装: SO-8
  • 描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款双P型场效应晶体管,采用Trench技术,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8;2个P—Channel沟道,-60V;-5.3A;RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
  • 数量:2个P沟道
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 连续漏极电流(Id):5.3A
  • 导通电阻(RDS(on)):54mΩ@10V;60mΩ@4.5V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • 数量:2个P沟道
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 连续漏极电流(Id):4.8A
  • 导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • 数量:2个P沟道
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 连续漏极电流(Id):4.8A
  • 导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXMP6A17KTC-VB
  • 品牌: VBsemi
  • 封装: TO-252
  • 描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺,其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252;P—Channel沟道,-60V;-30A;RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
  • 数量:1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 连续漏极电流(Id):30A
  • 导通电阻(RDS(on)):72mΩ@4.5V
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
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