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对比
ZXMP6A18DN8TA-VB
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SO-8
- 品牌名称VBsemi
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商品型号
ZXMP6A18DN8TA-VB -
商品编号
ZXMP6A18DN8TA-VB -
商品封装
SO-8 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V； | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V；60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF | |
| 封装/外壳 | SO-8 |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
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个
起订量： 个
