温馨提示
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
-
收藏
-
对比
ZXMP6A17KTC-VB
-
TO-252
- 品牌名称VBsemi
-
商品型号
ZXMP6A17KTC-VB -
商品编号
ZXMP6A17KTC-VB -
商品封装
TO-252 -
分类
场效应管(MOSFET)
-
商品参数
|
|
属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V； | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 封装/外壳 | TO-252 |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量： 个
