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三极管(BJT)

”共 5708件相关商品

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  • 已显示前 40 项,共 135 项,请输入关键词搜索

封装/规格

  • -
  • CMPAK-3
  • DFN(1x0.6)
  • DFN-3
  • DFN-3(0.6x0.6)
  • DFN-3(0.6x0.8)
  • DFN-3(1.1x1.4)
  • DFN-3(1.2x1.4)
  • DFN-3(1x1)
  • DFN-3(1x1.1)
  • DFN-3(2x2)
  • DFN-6
  • DFN-6(1.2x1.4)
  • DFN-6(1x1)
  • DFN-6(1x1.3)
  • DFN-6(2x2)
  • DFN-8
  • DFN-8(2x3)
  • DFN-8(3.3x3.3)
  • DFN-8(5x6)
  • DFN1006-3(SOT-883)
  • Die
  • DIP-14
  • DIP-16
  • DIP-18
  • DIP-8
  • ECH-8
  • EMT-3
  • ESM
  • Flatpack-14
  • FlAtPAck-14
  • Flatpack-6
  • HUML-L3(2x2)
  • ITO-220S
  • JPN
  • LCC-20(8.9x8.9)
  • LCC-3
  • LCC-6
  • LFCSP-16(3x3)
  • LFPAK-8
  • 已显示前 40 项,共 194 项,请输入关键词搜索

晶体管类型

  • -
  • NPN
  • NPN+NPN
  • NPN+PNP
  • PNP
  • PNP+PNP

集电极电流(Ic)

  • -
  • 1mA
  • 1.25mA
  • 3mA
  • 4mA
  • 5mA
  • 10mA
  • 15mA
  • 20mA
  • 25mA
  • 26mA
  • 30mA
  • 34.8mA
  • 35mA
  • 40mA
  • 45mA
  • 50mA
  • 55mA
  • 60mA
  • 65mA
  • 70mA
  • 75mA
  • 80mA
  • 90mA
  • 100mA
  • 120mA
  • 150mA
  • 170mA
  • 200mA
  • 210mA
  • 225mA
  • 250mA
  • 300mA
  • 350mA
  • 400mA
  • 500mA
  • 600mA
  • 700mA
  • 750mA
  • 770mA
  • 已显示前 40 项,共 117 项,请输入关键词搜索

集射极击穿电压(Vceo)

  • -
  • 2V
  • 2.25V
  • 2.5V
  • 2.8V
  • 3.25V
  • 3.3V
  • 3.5V
  • 4V
  • 4.1V
  • 4.2V
  • 4.5V
  • 4.7V
  • 5V
  • 5.3V
  • 5.5V
  • 6V
  • 6.1V
  • 7V
  • 8V
  • 9V
  • 9.2V
  • 9.5V
  • 10V
  • 11V
  • 11.5V
  • 12V
  • 13V
  • 14V
  • 15V
  • 16V
  • 17V
  • 17.5V
  • 18V
  • 19V
  • 20V
  • 22V
  • 24V
  • 25V
  • 30V
  • 已显示前 40 项,共 101 项,请输入关键词搜索

耗散功率(Pd)

  • -
  • 0.2mW
  • 0.3mW
  • 0.5mW
  • 6.4mW
  • 30mW
  • 50mW
  • 60mW
  • 75mW
  • 100mW
  • 115mW
  • 120mW
  • 125mW
  • 130mW
  • 136mW
  • 150mW
  • 160mW
  • 165mW
  • 166mW
  • 167mW
  • 175mW
  • 180mW
  • 187mW
  • 190mW
  • 197mW
  • 200mW
  • 205mW
  • 210mW
  • 220mW
  • 225mW
  • 227mW
  • 234mW
  • 235mW
  • 240mW
  • 250mW
  • 255mW
  • 260mW
  • 265mW
  • 275mW
  • 280mW
  • 已显示前 40 项,共 237 项,请输入关键词搜索

直流电流增益(hFE)

  • -
  • 2.25@4.5A,5V
  • 2.5@4A,20V
  • 3@1.5A,10V
  • 4@8A,5V
  • 4@20A,5V
  • 4@4.5A,1V
  • 4@7A,1V
  • 4@16A,5V
  • 4@10A,5V
  • 4@5A,10V
  • 4.5@6A,5V
  • 5@1A,2V
  • 5@3A,5V
  • 5@10A,4V
  • 5@5A,5V
  • 5@2A,15V
  • 5@4.5A,5V
  • 5@1A,10V
  • 5@15A,5V
  • 5@15A,4V
  • 5@6A,5V
  • 5@16A,4V
  • 5@25A,4V
  • 5@400mA,5V
  • 5@1mA,6V
  • 5@1mA,5V
  • 5.5@5A,1V
  • 6@7A,5V
  • 6@10A,2V
  • 6@5A,5V
  • 6@1A,1V
  • 6@100mA,5V
  • 6@8A,5V
  • 6@2A,1V
  • 6.5@6A,5V
  • 6.5@3A,5V
  • 7@6A,2V
  • 7@3A,5V
  • 7@5A,3V
  • 已显示前 40 项,共 1626 项,请输入关键词搜索

集电极截止电流(Icbo)

  • -
  • 25pA
  • 100pA
  • 200pA
  • 300pA
  • 500pA
  • 1nA
  • 1.5nA
  • 2nA
  • 3nA
  • 5nA
  • 10nA
  • 15nA
  • 20nA
  • 25nA
  • 30nA
  • 35nA
  • 40nA
  • 50nA
  • 60nA
  • 80nA
  • 100nA
  • 150nA
  • 180nA
  • 200nA
  • 220nA
  • 250nA
  • 300nA
  • 400nA
  • 500nA
  • 600nA
  • 1uA
  • 1.7uA
  • 2uA
  • 4uA
  • 5uA
  • 6uA
  • 10uA
  • 15uA
  • 20uA
  • 已显示前 40 项,共 66 项,请输入关键词搜索

集射极饱和电压(VCE(sat))

  • -
  • 6mV
  • 7mV
  • 8mV
  • 10mV
  • 14mV
  • 15mV
  • 16mV
  • 17mV
  • 17mV@200mA,10mA
  • 18mV
  • 22mV
  • 25mV
  • 27mV
  • 30mV
  • 32mV@1A,100mA
  • 35mV
  • 36mV
  • 37mV
  • 40mV@0.1A,10mA
  • 40mV
  • 42mV
  • 43mV
  • 45mV@100mA,1mA
  • 45mV
  • 47mV
  • 48mV
  • 50mV
  • 50mV@50mA,500mA
  • 55mV
  • 55mV@0.5A,0.167A
  • 60mV@1A,100mA
  • 60mV
  • 65mV
  • 68mV
  • 70mV
  • 72mV
  • 75mV@10mA,0.5mA
  • 75mV
  • 75mV@1A,10mA
  • 已显示前 40 项,共 559 项,请输入关键词搜索

特征频率(fT)

  • -
  • 80kHz
  • 300kHz
  • 500kHz
  • 800kHz
  • 1MHz
  • 1.2MHz
  • 1.5MHz
  • 1.7MHz
  • 2MHz
  • 2.5MHz
  • 2.75MHz
  • 3MHz
  • 4MHz
  • 5MHz
  • 6MHz
  • 6.8MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 9MHz
  • 10MHz
  • 11MHz
  • 12MHz
  • 13MHz
  • 14MHz
  • 15MHz
  • 15.4MHz
  • 16MHz
  • 18MHz
  • 20MHz
  • 25MHz
  • 28MHz
  • 30MHz
  • 32MHz
  • 33MHz
  • 35MHz
  • 38MHz
  • 40MHz
  • 45MHz
  • 50MHz
  • 已显示前 40 项,共 197 项,请输入关键词搜索

工作温度

  • -
  • -65℃~+115℃@(Tj)
  • -65℃~+125℃@(Tj)
  • -65℃~+200℃
  • -65℃~+100℃@(Tj)
  • -65℃~+90℃@(Tj)
  • -65℃~+200℃@(Tj)
  • -65℃~+175℃
  • -65℃~+175℃@(Tj)
  • -65℃~+85℃@(Tj)
  • -65℃~+110℃@(Tj)
  • -65℃~+150℃@(Tj)
  • -65℃~+200℃@(Ta)
  • -65℃~+150℃
  • -55℃~+150℃
  • -55℃~+175℃@(Tj)
  • -55℃~+110℃
  • -55℃~+125℃@(Ta)
  • -55℃~+105℃@(Ta)
  • -55℃~+200℃@(Ta)
  • -55℃~+125℃@(Tj)
  • -55℃~+135℃@(Tj)
  • -55℃~+200℃
  • -55℃~+175℃
  • -55℃~+155℃@(Tj)
  • -55℃~+200℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -55℃~+175℃@(Ta)
  • -55℃~+125℃
  • -55℃~+150℃@(Ta)
  • -55℃~150℃
  • -50℃~+150℃
  • -50℃~+150℃@(Tj)
  • -40℃~+150℃
  • -40℃~+150℃@(Tj)
  • -40℃~+85℃
  • -25℃~+150℃
  • -25℃~+85℃
  • -25℃~+125℃
  • -20℃~+150℃
  • 已显示前 40 项,共 43 项,请输入关键词搜索

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 5708
综合排序 价格 库存
-
-
清空
符合条件商品:共5708件
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • ZXTP720MATA
  • 品牌: DIODES
  • 封装: DFN-3(2x2)
  • 描述: 特性:BVCEO >-40V。 IC =-3A 连续集电极电流。 低饱和电压(- 220mV 最大 @-1A)。 RSAT = 104mΩ,低等效导通电阻。 hFE 指定至-3A,高电流增益保持。 低轮廓 0.6mm 高封装,适用于薄型应用。应用:MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极电流(Ic):3A
  • 集射极击穿电压(Vceo):40V
  • 耗散功率(Pd):12W
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXTP718MATA
  • 品牌: DIODES
  • 封装: W-DFN-3(2x2)
  • 描述: 特性:BVCEO > -20V。 IC = -3.5A 连续集电极电流。 低饱和电压 (-220mV 最大值 @ -1A)。 Rsat = 64 mΩ,实现低等效导通电阻。 hFE 指定至 -6A,实现高电流增益保持。 低剖面 0.6mm 封装,适用于薄型应用。应用:MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极电流(Ic):3.5A
  • 集射极击穿电压(Vceo):20V
  • 耗散功率(Pd):12W
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXTP717MATA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: DFN-3(2x2)
  • 描述: 特性:BVCEO > -12V。 IC = -4A 连续集电极电流。 低饱和电压(-140mV 最大值 @ -1A)。 RSAT = 60mΩ,低等效导通电阻。 hFE 指定高达 -10A,高电流增益保持。 低外形 0.6mm 高封装,适用于薄型应用。应用:MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极电流(Ic):4A
  • 集射极击穿电压(Vceo):12V
  • 耗散功率(Pd):12W
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极电流(Ic):600mA
  • 集射极击穿电压(Vceo):150V
  • 耗散功率(Pd):2W
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXTP5240F-7
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-23-3
  • 描述: 特性:BVCEO > -40V。 IC = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。 低饱和电压-225mV 最大 @ IC = -1A。 RCE(SAT) = 90mΩ 在 0.5A 时具有低等效导通电阻。 730mW 功率耗散。应用:栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。 负载开关
  • 系列:ZXTP5240
  • RoHS:是
  • 封装:SOT-23-3
  • 制造商:Diodes Incorporated
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXTP4003ZTA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-89-3
  • 描述: 特性:BVCEO > -100V。 最大连续电流 Ic = -1A。 hFE > 100 @ Ic = -150mA, VCE = -0.2V。 无铅,符合 RoHS 标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准。应用:LED TV 背光源
  • 系列:ZXTP400
  • RoHS:是
  • 封装:SOT-89-3
  • 制造商:Diodes Incorporated
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXTP4003GTA
  • 品牌: DIODES(美台)
  • 封装: Tape & Reel (TR)
  • 描述: 特性:BVCEO > -100V。 最大连续电流 IC = -1A。 hFE > 100 @ IC = -150mA, VCE = -0.2V。 无铅,符合 RoHS 标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准。应用:LED 电视背光
  • 封装:Tape & Reel (TR)
  • Rohs:Lead free / RoHS Compliant
  • 标准包装:1,000
  • 晶体管类型:PNP
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXTP25100CZTA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-89-3
  • 描述: 特性:BVCEO > -100V。 BVECO > -7V。 Ic = -1A 连续集电极电流。 Icm = -3A 峰值集电极电流。 VCE(SAT) < -225mV @ -1A。 RCE(SAT) = 155mΩ,低等效导通电阻。 互补NPN类型:ZXTN25100DZ。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
  • 系列:ZXTP25100
  • RoHS:是
  • 封装:SOT-89-3
  • 制造商:Diodes Incorporated
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXTP25100CFHTA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-23-3
  • 描述: 特性:BVCEO > -100V。 最大连续集电极电流 IC = -1A。 VCE(sat) < -220mV @ -1A。 RCE(sat) = 150mΩ。 7V 反向阻断电压。 高峰值电流。应用:MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器
  • 系列:ZXTP251
  • RoHS:是
  • 封装:SOT-23-3
  • 制造商:Diodes Incorporated
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXTP25060BFHTA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-23-3
  • 描述: 特性:击穿电压 BVCEO >-60V。 正向阻断电压 100V。 连续集电极电流 IC =-3A。 峰值脉冲电流 ICM =-9A。 低饱和电压,VCE(sat) <-85mV @-1A。 低等效导通电阻,RCE(sat) = 58mΩ。应用:MOSFET 驱动器。 电源开关
  • 系列:ZXTP25060
  • RoHS:是
  • 封装:SOT-23-3
  • 制造商:Diodes Incorporated
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
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