当前“
DDR SDRAM
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- Alliance Memory
- CXMT(长鑫)
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- ICMAX(宏旺)
- innodisk(宜鼎)
- ISSI(美国芯成)
- micron(镁光)
- MK(米客方德)
- Nanya(南亚科技)
- Rayson(晶存)
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- ROHM(罗姆)
- SAMSUNG(三星半导体)
- TI(德州仪器)
- WINBOND(华邦)
- Zentel(力积电子)
- Zetta(澜智)
封装/规格
- -
- BGA
- BGA-134
- BGA-144
- BGA-168
- BGA-170
- BGA-178
- BGA-180
- BGA-200
- BGA-216
- BGA-220
- BGA-24
- BGA-256
- BGA-60
- BGA-78
- BGA-84
- BGA-90
- BGA-96
- SMD
- SOP-8
- SOP-8-175mil
- TSOP-54
- TSOP-66
- TSOPII-54
- WLCSP-53
存储器构架(格式)
- -
- SDRAM DDR2
- SDRAM LPDDR2
- SDRAM DDR3
- SDRAM DDR3L
- SDRAM LPDDR3
- SDRAM DDR4
- SDRAM LPDDR4
- SDRAM LPDDR4X
- SDRAM SLPDDR4
- SDRAM DDR5
- SGRAM GDDR6
- SDRAM DDR
- SDRAM LPDDR
存储容量
- -
- 32Mbit
- 64Mbit
- 128Mbit
- 256Mbit
- 512Mbit
- 1Gbit
- 2Gbit
- 4Gbit
- 8Gbit
- 16Gbit
- 32Gbit
- 64Gbit
时钟频率(fc)
- -
- 166MHz
- 200MHz
- 333MHz
- 400MHz
- 533MHz
- 667MHz
- 800MHz
- 933MHz
- 1.066GHz
- 1.067GHz
- 1.2GHz
- 1.33GHz
- 1.333GHz
- 1.6GHz
- 1.866GHz
- 1.867GHz
- 2.133GHz
- 2.25GHz
- 2.4GHz
- 3.2GHz
工作电压
- -
- 1.06V~1.95V
- 1.14V~1.3V
- 1.14V~1.26V
- 1.2V
- 1.28V~1.45V
- 1.283V~1.45V
- 1.35V~1.45V
- 1.35V~1.5V
- 1.35V~1.575V
- 1.35V
- 1.425V~1.575V
- 1.5V
- 1.5V~1.575V
- 1.7V~1.95V
- 1.7V~2V
- 1.7V~1.8V
- 1.7V~1.9V
- 1.8V
- 1.8V~1.9V
- 2.3V~2.7V
- 2.5V~2.7V
工作电流
- -
- 29mA
- 32mA
- 35mA
- 38mA
- 39mA
- 40mA
- 41mA
- 45mA
- 46mA
- 47mA
- 50mA
- 54mA
- 55mA
- 56mA
- 65mA
- 70mA
- 75mA
- 76mA
- 80mA
- 82mA
- 85mA
- 90mA
- 96mA
- 103mA
- 105mA
- 110mA
- 115mA
- 120mA
- 125mA
- 130mA
- 135mA
- 137.7mA
- 140mA
- 160mA
- 165mA
- 175mA
- 180mA
- 185mA
- 190mA
刷新电流
- -
- 230uA
- 530uA
- 2mA
- 6mA
- 8mA
- 10mA
- 11mA
- 13mA
- 14mA
- 15mA
- 20mA
- 22mA
工作温度
- -
- -55℃~+125℃
- -40℃~+85℃
- -40℃~+105℃
- -40℃~+125℃
- -40℃~+90℃
- -40℃~+95℃
- -30℃~+85℃
- -25℃~+85℃
- 0℃~+70℃
- 0℃~+85℃
- 0℃~+95℃
包装/方式
- 托盘
- 盒装
- 管装
- 编带
- 袋装
筛选结果：
153
