亚泰盈科-芯城分类-同步动态随机存取内存(SDRAM)

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W989D6DBGX6I 品牌: Winbond 封装: VFBGA-54(8x9) 描述: 低功耗同步内存，包含536,870,912个存储单元，采用高性能工艺技术制造。设计功耗低于普通SDRAM，具备低功耗特性，适用于电池供电的应用。有两种组织形式：4,194,304字×4个存储体×32位或8,388,608字×4个存储体×16位。以完全同步模式运行，输出数据与系统时钟的正边沿同步，能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。支持部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）等特殊低功耗功能。存储容量:512Mbit 时钟频率(fc):166MHz 工作电压:1.7V~1.95V 功能特性:自动预充电；自动刷新；高速时钟同步类目: 同步动态随机存取内存(SDRAM) 编号: 203622 详细: 数据手册库存：0 个个总额:￥0

W989D2DBJX6E 品牌: Winbond 封装: VFBGA-90(8x13) 描述: 存储容量 512Mbit 时钟频率(fc) 166MHz 工作电压 1.7V~1.95V 功能特性自动预充电；自动刷新；高速时钟同步工作温度 -25℃~+85℃ 封装/外壳 VFBGA-90(8x13) 存储容量:512Mbit 时钟频率(fc):166MHz 工作电压:1.7V~1.95V 功能特性:自动预充电；自动刷新；高速时钟同步类目: 同步动态随机存取内存(SDRAM) 编号: 203621 详细: 数据手册库存：0 个个总额:￥0

W9864G6KH-6I 品牌: Winbond 封装: TSOP-54-10.2mm 描述: W9864G6KH 是一个高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 1M words x 4 banks × 16 bits。W9864G6KH 的数据带宽可达每秒 200M words。对于不同的应用，W9864G6KH 被分为以下速度等级：-5、-6、-6l 和 -7。-5 等级部件可运行至 200MHz/CL3。-6 和 -6l 等级部件可运行至 143MHz/CL3，trp=18ns。存储容量:64Mbit 时钟频率(fc):166MHz 工作电压:3V~3.6V 功能特性:自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成类目: 同步动态随机存取内存(SDRAM) 编号: 203620 详细: 数据手册库存：0 个个总额:￥0

W9864G6KH-6 品牌: Winbond 封装: TSOPII-54-10.2mm 描述: 是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3（-6I为工业级，支持-40°C至85°C）；-7部件最高可运行至143MHz/CL3，且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的，当通过ACTIVE命令选择一个组和行时，一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问存储容量:64Mbit 时钟频率(fc):166MHz 工作电压:3V~3.6V 功能特性:自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成类目: 同步动态随机存取内存(SDRAM) 编号: 203619 详细: 数据手册库存：0 个个总额:￥0

W9825G6KH-6 品牌: Winbond 封装: TSOP-54-10.2mm 描述: W9825G6KH 是一款高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 4M 字 x 4 组 x 16 位。具有自刷新模式和低功耗模式。提供多种突发长度和延迟周期设置，适用于高性能应用。存储容量:256Mbit 时钟频率(fc):166MHz 工作电压:3V~3.6V 功能特性:自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成类目: 同步动态随机存取内存(SDRAM) 编号: 203618 详细: 数据手册库存：0 个个总额:￥0

W9812G6KH-6 品牌: Winbond 封装: TSOPII-54-10.2mm 描述: 128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V 存储容量:128Mbit 时钟频率(fc):166MHz 工作电压:3V~3.6V 功能特性:自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成类目: 同步动态随机存取内存(SDRAM) 编号: 203617 详细: 数据手册库存：0 个个总额:￥0

W9725G6KB-25 品牌: Winbond 封装: BGA-84 描述: 存储器构架(格式) DDR2 SDRAM 时钟频率(fc) 400MHz 存储容量 256Mbit 工作电压 1.7V~1.9V 刷新电流 6mA 工作温度 0℃~+85℃ 功能特性自动预充电功能；动态片上端接；数据掩码功能封装/外壳 BGA-84 存储器构架(格式):DDR2 SDRAM 时钟频率(fc):400MHz 存储容量:256Mbit 工作电压:1.7V~1.9V 类目: 同步动态随机存取内存(SDRAM) 编号: 203616 详细: 数据手册库存：0 个个总额:￥0

RS1G32LF4D2BDS-53BT 品牌: Rayson(晶存) 封装: FBGA-200(10x14.5) 描述: 无类目: 同步动态随机存取内存(SDRAM) 编号: 203615 详细: 数据手册库存：0 个个总额:￥0

NT6CL512T32AM-H1 品牌: Nanya 封装: BGA-178 描述: 特性：基于LPDDR3标准。低功耗。 8n预取架构，仅支持BL8。可配置的驱动强度（DS），以实现系统兼容性。可配置的片上终端（ODT）。通过外部ZQ引脚进行ZQ校准，确保DS/ODT阻抗精度（2400±1%）存储容量:16Gbit 时钟频率(fc):933MHz 工作电压:1.14V~1.3V 功能特性:自动刷新类目: 同步动态随机存取内存(SDRAM) 编号: 203614 详细: 数据手册库存：0 个个总额:￥0

NT6CL256M32AM-H1 品牌: Nanya 封装: BGA-178 描述: 特性：基于LPDDR3标准。低功耗。 8n预取架构，仅支持BL8。可配置的驱动强度（DS），以实现系统兼容性。可配置的片上终端（ODT）。通过外部ZQ引脚进行ZQ校准，确保DS/ODT阻抗精度（2400±1%）存储容量:8Gbit 时钟频率(fc):933MHz 工作电压:1.14V~1.3V 功能特性:自动刷新类目: 同步动态随机存取内存(SDRAM) 编号: 203613 详细: 数据手册库存：0 个个总额:￥0

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