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当前“

静态随机存取存储器(SRAM)

”共 131件相关商品

品牌

  • Adafruit
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  • micron(镁光)
  • MOTOROLA(摩托罗拉)
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  • RENESAS(瑞萨)/IDT
  • Rochester Electronics(罗彻斯特)
  • SAMSUNG(三星半导体)
  • SHARP(夏普)
  • Siproin(上海矽朋)
  • ST(意法半导体)
  • TI(德州仪器)
  • Vilsion
  • WINBOND(华邦)
  • 广船国际技术

封装/规格

  • -
  • 34-PowerCap Module
  • 6-TSOC
  • BGA-100
  • BGA-119
  • BGA-144
  • BGA-153
  • BGA-165
  • BGA-168
  • BGA-172
  • BGA-208
  • BGA-209
  • BGA-24
  • BGA-256
  • BGA-260
  • BGA-272
  • BGA-324
  • BGA-36
  • BGA-361
  • BGA-48
  • BGA-484
  • BGA-49
  • BGA-54
  • BGA-576
  • BGA-60
  • BGA-676
  • BGA-81
  • BGA-84
  • BGA-90
  • BGA-96
  • CFlatpack-24
  • CFlatpack-28
  • DFN-8
  • DFN-8(2x3)
  • DFN-8(5x6)
  • DIP-10
  • DIP-16
  • DIP-18
  • DIP-20
  • DIP-22
  • 已显示前 40 项,共 142 项,请输入关键词搜索

接口类型

  • -
  • I2C
  • SPI
  • 并口(Parallel)

存储容量

  • -
  • 4Kbit
  • 8Kbit
  • 16Kbit
  • 18Kbit
  • 32Kbit
  • 36Kbit
  • 64Kbit
  • 72Kbit
  • 128Kbit
  • 144Kbit
  • 256Kbit
  • 288Kbit
  • 512Kbit
  • 576Kbit
  • 1Mbit
  • 1.125Mbit
  • 1.152Mbit
  • 2Mbit
  • 2.25Mbit
  • 3Mbit
  • 4Mbit
  • 4.5Mbit
  • 8Mbit
  • 9Mbit
  • 16Mbit
  • 18Mbit
  • 32Mbit
  • 36Mbit
  • 64Mbit
  • 72Mbit
  • 144Mbit

工作电压

  • -
  • 1.26V~1.34V
  • 1.42V~1.58V
  • 1.5V~1.95V
  • 1.65V~2.25V
  • 1.65V~2.2V
  • 1.65V~3.6V
  • 1.65V~1.98V
  • 1.7V~1.95V
  • 1.7V~2.2V
  • 1.7V~3.6V
  • 1.7V~1.9V
  • 1.71V~1.89V
  • 1.8V~3.3V
  • 1.8V~2.2V
  • 2V~3.6V
  • 2.2V~3.6V
  • 2.2V~3.7V
  • 2.2V~5.5V
  • 2.3V~2.6V
  • 2.375V~2.625V
  • 2.4V~2.6V
  • 2.4V~3.6V
  • 2.5V~2.7V
  • 2.5V~3.6V
  • 2.5V~5.5V
  • 2.7V~3.6V
  • 2.7V~3.3V
  • 2.7V~5.5V
  • 2.7V~3.45V
  • 3V~3.7V
  • 3V~3.63V
  • 3V~3.6V
  • 3.135V~3.6V
  • 3.135V~3.465V
  • 3.135V~3.63V
  • 3.15V~3.45V
  • 3.15V~3.6V
  • 3.3V
  • 4.5V~5.5V
  • 已显示前 40 项,共 42 项,请输入关键词搜索

写周期时间(Tw)

  • -
  • 10ns
  • 12ns
  • 15ns
  • 20ns
  • 25ns
  • 45ns
  • 55ns
  • 70ns
  • 100ns
  • 150ns

工作温度

  • -
  • -55℃~+125℃
  • -40℃~+85℃
  • -40℃~+105℃
  • -40℃~+125℃
  • -25℃~+85℃
  • 0℃~+70℃

包装/方式

  • 托盘
  • 管装
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 131
综合排序 价格 库存
-
-
清空
符合条件商品:共131件
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • VTI7064MSME
  • 品牌: Vilsion
  • 封装: SOIC-8
  • 描述: 64Mbit(8MB x 8)串行SPI SRAM,精简SOP8封装!
  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:64Mbit
  • 工作电压:2.7V~3.3V
  • 读写时间:7ns
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • RMLV1616AGSA-5S2#AA0
  • 品牌: Renesas Electronics
  • 封装: TSOPI-48
  • 描述: RMLV1616A系列是16Mbit静态RAM,组织为1,048,576字×16-Bit,采用Renesas高性能Advanced LPSRAM技术。该系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV1616A系列具有低功耗待机功耗,适用于电池备份系统。提供48引脚TSOP (I)、52引脚μTSOP (II)或48球细间距球栅阵列封装。
  • 接口类型:并口(Parallel)
  • 存储容量:16Mbit
  • 工作电压:2.7V~3.6V
  • 读写时间:55ns
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • RMLV0816BGSB-4S2#HA0
  • 品牌:
  • 封装: TSOPII-44
  • 描述: RMLV0816BGSB是一款8-Mbit静态RAM,组织为524,288字×16-Bit,采用Renesas的高性能Advanced LPSRAM技术制造。该器件实现了更高的密度、性能和低功耗。RMLV0816BGSB具有低功耗待机电流,因此适用于电池备份系统。它提供44针TSOP (II)封装。
  • 接口类型:并口(Parallel)
  • 存储容量:8Mbit
  • 工作电压:2.4V~3.6V
  • 读写时间:45ns;55ns
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • RMLV0816BGSB-4S2#AA0
  • 品牌: Renesas Electronics
  • 封装: TSOPII-44-10.2mm
  • 描述: RMLV0816BGSB 是一款8Mbit静态RAM,组织为524,288字×16-Bit,采用Renesas高性能Advanced LPSRAM技术制造。它实现了更高的密度、性能和低功耗。RMLV0816BGSB 提供了低功耗待机功耗,适用于电池备份系统。提供44引脚TSOP (II)封装。
  • 接口类型:并口(Parallel)
  • 存储容量:8Mbit
  • 工作电压:2.4V~3.6V
  • 工作温度:-40℃~+85℃
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • RMLV0816BGSA-4S2#AA0
  • 品牌: Renesas Electronics
  • 封装: TSOPI-48
  • 描述: RMLV0816BGSA 是一款高性能的高级低功耗SRAM技术。该器件实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV0816BGSA 具有低功耗待机电流,适用于电池备份系统。它采用48引脚TSOP(I)封装。
  • 存储容量:8Mbit
  • 工作电压:2.4V~2.7V
  • 读写时间:45ns
  • 工作温度:-40℃~+85℃
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • RMLV0416EGSB-4S2#HA1
  • 品牌:
  • 封装: TSOPII-44-10.2mm
  • 描述: RMLV0416E系列是4-Mbit静态RAM,组织为262,144字 × 16-Bit,采用Renesas的高性能Advanced LPSRAM技术制造。该系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV0416E系列提供了低功耗待机功耗。
  • 接口类型:并口(Parallel)
  • 存储容量:4Mbit
  • 工作电压:2.7V~3.6V
  • 读写时间:45ns
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • PM002MNIATR
  • 品牌: Siproin
  • 封装: SOP8
  • 描述: 支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器
  • 功能特性:块保护功能;上电/掉电/欠压数据保护功能;软件写保护功能;写入保护功能
  • 封装/外壳:SOP8
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • MR25H40CDF
  • 品牌: Everspin Technologies
  • 封装: DFN-8-EP(5x6)
  • 描述: MR2xH40 是一系列 4,194,304 位磁阻随机存取存储器(MRAM)器件,组织形式为 524,288 个 8 位字。对于那些必须使用少量 I/O 引脚快速存储和检索数据及程序的应用来说,它们是理想的存储解决方案。它们具有与串行 EEPROM 和串行闪存兼容的读写时序,无写入延迟,且读写耐久性不受限制
  • 功能特性:写使能锁存功能;块保护功能;上电/掉电/欠压数据保护功能;软件写保护功能;硬件写保护功能;写入保护功能
  • 封装/外壳:DFN-8-EP(5x6)
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • MR25H256ACDF
  • 品牌: Everspin Technologies
  • 封装: DFN-8-EP(5x6)
  • 描述: 特性:无写入延迟。 无限写入耐久性。 数据保留超过20年。 掉电时自动数据保护。 块写保护。 快速、简单的SPI接口,时钟速率高达40 MHz。 2.7至3.6伏电源范围。 低电流睡眠模式。 工业和汽车1级和3级温度范围。 提供8引脚DFN或8引脚DFN小旗形符合RoHS标准的封装。 可直接替代串行EEPROM、闪存、铁电随机存取存储器。 工业级和AEC-Q100 1级和3级可选。 湿度敏感度等级为MSL-3
  • 功能特性:写使能锁存功能;块保护功能;上电/掉电/欠压数据保护功能;写入保护功能
  • 封装/外壳:DFN-8-EP(5x6)
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • MR25H10CDF
  • 品牌: Everspin Technologies
  • 封装: DFN-8-EP(5x6)
  • 描述: MR25H10是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)器件,其组织形式为131,072个8位字。MR25H10提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序,无写入延迟,且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同,该器件在存储器中进行读写操作时均可随机进行,写入之间无延迟
  • 功能特性:写使能锁存功能;块保护功能;上电/掉电/欠压数据保护功能;输入过压保护
  • 封装/外壳:DFN-8-EP(5x6)
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
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