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碳化硅(SiC)器件

”共 59件相关商品

目录

  • 碳化硅二极管
  • 碳化硅场效应管(MOSFET)
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封装/规格

  • -
  • AG-62mm
  • AG-EASY1B
  • AG-EASY1B-2
  • AG-EASY2B
  • AG-EASY2BM-2
  • AG-HYBRIDD-2
  • D3PAK
  • DFN-4
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  • DFN-8(8x8)
  • DO-247
  • FJ
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  • HiP-247-4
  • HIP-247-4
  • HU3PAK
  • PowerQFN(3.3x3.3)
  • QFN-4(8x8)
  • QFN-8(5x6)
  • SlimDPAK
  • SMB(DO-214AA)
  • SMBF
  • SMD-28P
  • SOD-523(SC-79)
  • SOT-227
  • SOT-227-2
  • SP1F
  • SP3F
  • SP4
  • SP6
  • SP6C
  • TO-220
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品牌

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包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 59
综合排序 价格 库存
-
-
清空
符合条件商品:共59件
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • SL42N120A
  • 品牌: Slkor
  • 封装: TO-247-3
  • 描述: 数量 1个N沟道 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 1.2kV 连续漏极电流(Id) 42A 耗散功率(Pd) 300W 阈值电压(Vgs(th)) 3.6V 栅极电荷量(Qg) 76nC 输入电容(Ciss) 1.68nF 反向传输电容(Crss) 6.7pF 工作温度 -55℃~+175℃ 输出电容(Coss) 69pF 导通电阻(RDS(on)) 100mΩ 封装/外壳 TO-247-3
  • 数量:1个N沟道
  • 类型:N沟道
  • 漏源电压(Vdss):1.2kV
  • 连续漏极电流(Id):42A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • SL19N120A
  • 品牌: Slkor
  • 封装: TO-247-3
  • 描述: 特性:高压、低导通电阻。 高速、寄生电容小。 高工作结温。 快速恢复体二极管。应用:光伏逆变器。 UPS电源
  • 数量:1个N沟道
  • 类型:N沟道
  • 漏源电压(Vdss):1.2kV
  • 连续漏极电流(Id):19A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • SCTWA90N65G2V-4
  • 品牌: ST
  • 封装: HiP247-4
  • 描述: 碳化硅功率 MOSFET 650 V、18 mOhm(典型值)、119 A,采用 HiP247-4 封装
  • 数量:1个N沟道
  • 类型:N沟道
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 连续漏极电流(Id):119A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • SCTWA90N65G2V
  • 品牌: ST
  • 封装: TO-247
  • 描述: 碳化硅功率 MOSFET 650 V、119 A、18 mOhm(典型值 TJ = 25 C),采用 HiP247 长引线封装
  • 数量:1个N沟道
  • 类型:N沟道
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 连续漏极电流(Id):119A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • SCTWA35N65G2V
  • 品牌: ST
  • 封装: TO-247
  • 描述: 碳化硅功率 MOSFET 650 V、55 mOhm(典型值)、45 A,采用 HiP247 长引线封装
  • 数量:1个N沟道
  • 类型:N沟道
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 连续漏极电流(Id):45A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • SCTWA30N120
  • 品牌: STMicroelectronics
  • 封装: HiP-247
  • 描述: 碳化硅功率MOSFET,1200 V、45 A、90 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247长引线封装
  • 数量:1个N沟道
  • 类型:N沟道
  • 漏源电压(Vdss):1.2kV
  • 连续漏极电流(Id):45A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • SCTW70N120G2V
  • 品牌: ST
  • 封装: TO-247-3
  • 描述: 碳化硅功率MOSFET,650 V、100 A、22 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装
  • 数量:1个N沟道
  • 类型:N沟道
  • 漏源电压(Vdss):1.2kV
  • 连续漏极电流(Id):91A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • SCTW40N120G2VAG
  • 品牌: ST
  • 封装: HiP-247
  • 描述: 汽车级碳化硅功率MOSFET,1200 V、33 A、75 mOhm(典型值,TJ = 25 C),HiP247封装
  • 数量:1个N沟道
  • 类型:N沟道
  • 漏源电压(Vdss):1.2kV
  • 连续漏极电流(Id):33A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • SCTW35N65G2VAG
  • 品牌: ST
  • 封装: TO-247-3
  • 描述: 采用 HiP247 封装的汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C)
  • 数量:1个N沟道
  • 类型:N沟道
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 连续漏极电流(Id):45A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • SCTW100N65G2AG
  • 品牌: ST
  • 封装: HiP-247
  • 描述: 汽车级碳化硅功率MOSFET,650 V、100 A、20 mOhm(典型值,TJ = 25°C),HiP247封装
  • 封装/外壳:HiP-247
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
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