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动态随机存取存储器(DRAM)
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- Apmemory
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- ISSI(美国芯成)
- micron(镁光)
- ROHM(罗姆)
- SAMSUNG(三星半导体)
封装/规格
- -
- BGA
- BGA-133
- BGA-144
- BGA-153
- BGA-168
- BGA-170
- BGA-178
- BGA-180
- BGA-200
- BGA-24
- BGA-253
- BGA-376
- BGA-432
- BGA-496
- BGA-556
- BGA-60
- BGA-78
- BGA-84
- BGA-90
- BGA-96
- DFN-8
- FBGA
- SMD
- SODI-260mm
- SOP-8
- TFBGA
- TSOP-26
- TSOP-50
- TSOPII-44
- TSOPII-54
- TSOPII-86
接口类型
- -
存储器构架(格式)
- -
- DRAM
- RLDRAM
存储容量
- -
- 16Mbit
- 32Mbit
- 64Mbit
- 288Mbit
- 576Mbit
- 2Gbit
- 4Gbit
工作电压
- -
- 1.28V~1.42V
- 1.35V~1.5V
- 1.7V~1.9V
- 1.7V~1.95V
- 3V~3.6V
工作温度
- -
- -40℃~+85℃
- -40℃~+95℃
- 0℃~+70℃
- 0℃~+85℃
- 0℃~+95℃
包装/方式
- 托盘
- 盒装
- 编带
筛选结果：
11
