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栅极驱动芯片

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品牌

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  • Littelfuse(美国力特)
  • 已显示前 40 项,共 102 项,请输入关键词搜索

封装/规格

  • -
  • 0502
  • BGA-12
  • BGA-35
  • BGA-6
  • BGA-63
  • DFN-10
  • DFN-10(2.3x2.3)
  • DFN-10(2.5x2.5)
  • DFN-10(2.6x2.6)
  • DFN-10(2x3)
  • DFN-10(3.3x3.3)
  • DFN-10(3x3)
  • DFN-10(3x4)
  • DFN-10(4x4)
  • DFN-12(3x3)
  • DFN-12(3x4)
  • DFN-12(4x4)
  • DFN-12(5x6)
  • DFN-12(5x7)
  • DFN-14(5x5)
  • DFN-16(3x5)
  • DFN-18(4x5)
  • DFN-22(5x6)
  • DFN-6
  • DFN-6(0.7x1.1)
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  • DFN-6(1.6x1.6)
  • DFN-6(2x2)
  • DFN-6(3x3)
  • DFN-8
  • DFN-8(2x2)
  • DFN-8(2x3)
  • DFN-8(3.5x4.5)
  • DFN-8(3x3)
  • DFN-8(4x4)
  • DFN-8(4x5)
  • DFN-8(5x6)
  • DFN-8-EP(3x3)
  • DFN-9(3x3)
  • 已显示前 40 项,共 361 项,请输入关键词搜索

驱动配置

  • -
  • 三相
  • 低边
  • 全桥
  • 半桥
  • 高边

驱动通道数

  • -
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 6

负载类型

  • -
  • IGBT
  • MOSFET

工作电压

  • -
  • -15V~-7V
  • -10V~25V
  • -4.5V~18V
  • 0V~18V
  • 0V~16V
  • 0V~25V
  • 0V~35V
  • 0V~5V
  • 300mV~40V
  • 1.2V~6V
  • 1.5V~4.5V
  • 1.71V~1.98V
  • 1.8V~5.5V
  • 1.8V~42V
  • 1.8V~6V
  • 2V~6V
  • 2.35V~7V
  • 2.5V~28V
  • 2.5V~5.5V
  • 2.7V~5.5V
  • 2.7V~9V
  • 2.7V~10V
  • 2.75V~30V
  • 2.8V~30V
  • 2.8V~36V
  • 3V~58V
  • 3V~5.5V
  • 3V~20V
  • 3V~7V
  • 3V~5.25V
  • 3V~3.5V
  • 3V~42V
  • 3V~3.6V
  • 3V~15V
  • 3V~36V
  • 3V~12V
  • 3.15V~5.25V
  • 3.15V~5.5V
  • 3.2V~4.4V
  • 已显示前 40 项,共 301 项,请输入关键词搜索

灌电流(IOL)

  • -
  • 160uA
  • 400uA
  • 600uA
  • 1.2mA
  • 2.2mA
  • 5mA
  • 50mA
  • 100mA
  • 130mA
  • 180mA
  • 200mA
  • 240mA
  • 260mA
  • 270mA
  • 290mA
  • 300mA
  • 350mA
  • 360mA
  • 380mA
  • 400mA
  • 430mA
  • 450mA
  • 480mA
  • 500mA
  • 550mA
  • 600mA
  • 650mA
  • 700mA
  • 750mA
  • 800mA
  • 1A
  • 1.1A
  • 1.2A
  • 1.25A
  • 1.3A
  • 1.4A
  • 1.5A
  • 1.6A
  • 1.7A
  • 已显示前 40 项,共 92 项,请输入关键词搜索

拉电流(IOH)

  • -
  • 24uA
  • 32uA
  • 40uA
  • 600uA
  • 1.2mA
  • 5mA
  • 35mA
  • 50mA
  • 60mA
  • 90mA
  • 100mA
  • 130mA
  • 150mA
  • 160mA
  • 170mA
  • 175mA
  • 180mA
  • 200mA
  • 210mA
  • 220mA
  • 250mA
  • 290mA
  • 300mA
  • 350mA
  • 400mA
  • 420mA
  • 450mA
  • 500mA
  • 600mA
  • 620mA
  • 650mA
  • 750mA
  • 800mA
  • 1A
  • 1.1A
  • 1.2A
  • 1.25A
  • 1.3A
  • 1.4A
  • 已显示前 40 项,共 88 项,请输入关键词搜索

上升时间(tr)

  • -
  • 375ps
  • 500ps
  • 900ps
  • 1ns
  • 2ns
  • 2.5ns
  • 3ns
  • 4ns
  • 4.5ns
  • 4.6ns
  • 5ns
  • 5.3ns
  • 5.5ns
  • 6ns
  • 6.4ns
  • 6.5ns
  • 7ns
  • 7.2ns
  • 7.3ns
  • 7.5ns
  • 7.8ns
  • 8ns
  • 8.3ns
  • 8.5ns
  • 8.6ns
  • 8.9ns
  • 9ns
  • 9.2ns
  • 9.5ns
  • 10ns
  • 10.5ns
  • 11ns
  • 11.5ns
  • 12ns
  • 13ns
  • 13.4ns
  • 13.5ns
  • 14ns
  • 14.5ns
  • 已显示前 40 项,共 121 项,请输入关键词搜索

下降时间

  • -
  • 350ps
  • 500ps
  • 900ps
  • 1ns
  • 1.5ns
  • 2ns
  • 2.5ns
  • 3ns
  • 3.2ns
  • 3.5ns
  • 4ns
  • 4.4ns
  • 4.5ns
  • 4.8ns
  • 5ns
  • 5.4ns
  • 5.5ns
  • 6ns
  • 6.5ns
  • 7ns
  • 7.5ns
  • 7.9ns
  • 8ns
  • 8.5ns
  • 8.9ns
  • 9ns
  • 10ns
  • 10.8ns
  • 11ns
  • 12ns
  • 12.2ns
  • 12.4ns
  • 12.5ns
  • 13ns
  • 13.3ns
  • 13.5ns
  • 14ns
  • 15ns
  • 16ns
  • 已显示前 40 项,共 103 项,请输入关键词搜索

传播延迟 tpLH

  • -
  • 2.6ns
  • 3ns
  • 10ns
  • 12ns
  • 13ns
  • 14ns
  • 14.5ns
  • 16ns
  • 18ns
  • 20ns
  • 25ns
  • 29ns
  • 30ns
  • 32ns
  • 33ns
  • 35ns
  • 38ns
  • 40ns
  • 45ns
  • 50ns
  • 55ns
  • 60ns
  • 80ns
  • 100ns
  • 125ns
  • 130ns
  • 150ns
  • 160ns
  • 170ns
  • 200ns
  • 220ns
  • 280ns
  • 320ns
  • 420ns
  • 450ns
  • 500ns
  • 600ns
  • 680ns
  • 750ns

传播延迟 tpHL

  • -
  • 2.9ns
  • 3ns
  • 8ns
  • 10ns
  • 12ns
  • 12.5ns
  • 13ns
  • 15ns
  • 16ns
  • 17ns
  • 18ns
  • 20ns
  • 22ns
  • 25ns
  • 28ns
  • 30ns
  • 32ns
  • 33ns
  • 35ns
  • 40ns
  • 42ns
  • 45ns
  • 50ns
  • 55ns
  • 120ns
  • 125ns
  • 130ns
  • 150ns
  • 170ns
  • 180ns
  • 190ns
  • 200ns
  • 220ns
  • 260ns
  • 280ns
  • 300ns
  • 420ns
  • 500ns

特性

  • -
  • 欠压保护
  • 短路保护
  • 过压保护
  • 过流保护
  • 过热保护

工作温度

  • -
  • -65℃~+150℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃
  • -55℃~+125℃@(Ta)
  • -55℃~+115℃@(Tj)
  • -55℃~+125℃@(Tj)
  • -55℃~+85℃@(Ta)
  • -55℃~+125℃
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -55℃~+150℃@(Ta)
  • -45℃~+125℃@(Ta)
  • -45℃~+125℃@(Tj)
  • -40℃~+125℃@(Tc)
  • -40℃~+100℃@(Ta)
  • -40℃~+80℃@(Ta)
  • -40℃~+140℃
  • -40℃~+100℃
  • -40℃~+150℃@(Tj)
  • -40℃~+170℃@(Tj)
  • -40℃~+140℃@(Tj)
  • -40℃~+105℃
  • -40℃~+125℃
  • -40℃~+150℃@(Tc)
  • -40℃~+70℃
  • -40℃~+125℃@(Ta)
  • -40℃~+126℃
  • -40℃~+135℃@(Ta)
  • -40℃~+85℃@(Ta)
  • -40℃~+95℃@(Ta)
  • -40℃~+150℃
  • -40℃~125℃
  • -40℃~+165℃@(Tj)
  • -40℃~+175℃@(Tj)
  • -40℃~+85℃
  • -40℃~+105℃@(Tj)
  • -40℃~+125℃@(Tj)
  • -40℃~+150℃@(Ta)
  • -40℃~+85℃@(Tj)
  • -40℃~150℃
  • -40℃~+105℃@(Ta)
  • 已显示前 40 项,共 72 项,请输入关键词搜索

包装/方式

  • 托盘
  • 盒装
  • 管装
  • 编带
  • 袋装
筛选结果: 963
综合排序 价格 库存
-
-
清空
符合条件商品:共963件
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • ZXGD3113W6-7
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-23-6
  • 描述: ZXGD3113W6旨在驱动配置为理想二极管替代品的MOSFET。该器件由差分放大器检测级和大电流驱动器组成。检测级监测MOSFET的反向电压,这样,如果发生体二极管导通,就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压
  • 驱动配置:低边
  • 负载类型:MOSFET
  • 驱动通道数:1
  • 灌电流(IOL):3A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXGD3105N8TC
  • 品牌: DIODES
  • 封装: SO-8
  • 描述: ZXGD3105N8同步控制器专为驱动MOSFET作为理想整流器而设计。此举旨在取代二极管,以提高功率传输效率。比例栅极驱动控制会监测MOSFET的反向电压,这样一来,一旦发生体二极管导通,就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压
  • 驱动配置:低边
  • 负载类型:MOSFET
  • 驱动通道数:1
  • 灌电流(IOL):9A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXGD3104N8TC
  • 品牌: DIODES
  • 封装: SO-8
  • 描述: ZXGD3104 旨在驱动配置为理想二极管替代品的 MOSFET。该器件由差分放大器检测级和大电流驱动器组成。检测级监测 MOSFET 的反向电压,这样,如果发生体二极管导通,就会向 MOSFET 的栅极引脚施加正电压
  • 适用AC-DC架构:反激式
  • 工作电压:5V~25V
  • 开关频率:250kHz
  • 模式支持:CRM;DCM;CCM
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXGD3009E6TA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-26
  • 描述: ZXGD3009E6是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达2A的峰值源极/灌电流,以对容性负载进行有效充放电。这款栅极驱动器可确保MOSFET快速开关,从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真
  • 驱动配置:低边
  • 负载类型:MOSFET
  • 驱动通道数:1
  • 灌电流(IOL):2A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXGD3009DYTA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-363
  • 描述: ZXGD3009DY是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达1A的峰值源极/漏极电流,以对容性负载进行有效充放电。该栅极驱动器可确保MOSFET快速开关,从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真
  • 驱动配置:低边
  • 负载类型:MOSFET
  • 驱动通道数:1
  • 灌电流(IOL):1.58A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXGD3006E6TA
  • 品牌: DIODES
  • 封装: SOT-26
  • 描述: ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器,用于驱动IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET进行开关操作。它能够向栅极提供高达10A的峰值源极/漏极电流,以对大容性负载进行有效充放电。ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流,而控制器只需提供1mA的输入电流
  • 驱动配置:低边
  • 负载类型:IGBT;MOSFET
  • 驱动通道数:1
  • 灌电流(IOL):3.8A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXGD3005E6TA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-26
  • 描述: ZXGD3005E6是一款高速同相单栅极驱动器,能够在最高25V的电源电压下,向MOSFET或IGBT的栅极电容性负载提供高达10A的驱动电流。其传播延迟时间低至<10ns,相应的上升/下降时间<20ns。该栅极驱动器可确保MOSFET或IGBT快速开关,以最大限度减少大电流开关应用中的功率损耗和失真
  • 驱动配置:低边
  • 负载类型:IGBT;MOSFET
  • 驱动通道数:1
  • 灌电流(IOL):6.4A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXGD3004E6TA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-23-6
  • 描述: ZXGD3004E6是一款高速、同相单栅极驱动器,专为开关MOSFET或IGBT而设计。它能够向栅极提供高达8A的峰值源极/灌电流,以对容性栅极负载进行有效充放电。该栅极驱动器可确保MOSFET快速开关,从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真
  • 驱动配置:低边
  • 负载类型:MOSFET
  • 驱动通道数:1
  • 灌电流(IOL):8A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXGD3003E6TA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-23-6
  • 描述: 特性:高速、非反相单栅极驱动器,用于开关MOSFET或IGBT。 可向栅极传输高达5A的峰值源/灌电流,以有效对电容性栅极负载进行充电和放电。 确保MOSFET快速开关,以最大限度减少高电流开关应用中的功率损耗和失真。 通常只需来自控制器的10mA输入,即可向低栅极阻抗驱动1.5A电流。应用:功率MOSFET和IGBT的栅极驱动: -AC-DC电源(SMPS)。 -DC-DC转换器
  • 驱动配置:低边
  • 负载类型:IGBT;MOSFET
  • 驱动通道数:1
  • 灌电流(IOL):5A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
  • ZXGD3002E6TA
  • 品牌: Diodes Incorporated
  • 封装: SOT-23-6
  • 描述: ZXGD3002E6是一款高速、同相单栅极驱动器,专为开关MOSFET或IGBT而设计。它能够向栅极传输高达5A的峰值源极/灌电流,以对容性栅极负载进行有效充放电。这款栅极驱动器可确保MOSFET快速开关,从而最大限度地减少大电流开关应用中的功率损耗和失真
  • 驱动配置:低边
  • 负载类型:IGBT;MOSFET
  • 驱动通道数:1
  • 灌电流(IOL):9A
库存:0
  • 个
  • 总额:¥0
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