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对比
H9HCNNN8KUMLHR-NME
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BGA-200(10x15)
- 品牌名称HYNIX
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商品型号
H9HCNNN8KUMLHR-NME -
商品编号
H9HCNNN8KUMLHR-NME -
商品封装
BGA-200(10x15) -
分类
DDR SDRAM
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 产品类型 | 特性：VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V)。VDD2, VDDCA and VDDQ = 1.1V (1.06 to 1.17)。VSSQ terminated DQ signals (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)。单数据速率架构用于命令和地址；所有控制和地址在时钟上升沿锁存 | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 3.733GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；1.06V~1.17V | |
| 工作电流 | 23mA | |
| 刷新电流 | 370uA | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能 | |
| 封装/外壳 | BGA-200(10x15) |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
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购买数量
个
起订量： 个
