温馨提示
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
-
收藏
-
对比
INN650D260A
-
DFN(8x8)
- 品牌名称Innoscience
-
商品型号
INN650D260A -
商品编号
INN650D260A -
商品封装
DFN(8x8) -
分类
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
-
商品参数
|
|
属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 产品类型 | 氮化镓MOS管 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 73pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@6V | |
| 封装/外壳 | DFN(8x8) |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量： 个
