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对比
HAT1024RJ-VB
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SO-8
- 品牌名称VBsemi
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商品型号
HAT1024RJ-VB -
商品编号
HAT1024RJ-VB -
商品封装
SO-8 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 台积电流片，长电科技封装；是一款双通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高耐压的应用场景，包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-7.3A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V； | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V；40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V；15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF | |
| 封装/外壳 | SO-8 |
梯度
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库存总量
(单位：0个)-
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