温馨提示
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
-
收藏
-
对比
HD5N50(BEO)
-
TO-252-2
- 品牌名称HL
-
商品型号
HD5N50(BEO) -
商品编号
HD5N50(BEO) -
商品封装
TO-252-2 -
分类
场效应管(MOSFET)
-
商品参数
|
|
属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 520V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.55Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 111pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V | |
| 封装/外壳 | TO-252-2 |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量： 个
