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对比
HSX80N20
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TO-247
- 品牌名称HUASHUO
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商品型号
HSX80N20 -
商品编号
HSX80N20 -
商品封装
TO-247 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | HSX80N20是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSX80N20符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。 | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.49nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 封装/外壳 | TO-247 |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量： 个
