温馨提示
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
-
收藏
-
对比
HYG800P10LR1D
-
TO-252-2L
- 品牌名称HUAYI
-
商品型号
HYG800P10LR1D -
商品编号
HYG800P10LR1D -
商品封装
TO-252-2L -
分类
场效应管(MOSFET)
-
商品参数
|
|
属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 特性：- 100V / -20A，RDS(ON) = 77mΩ（典型值）@ VGS = -10V。RDS(ON) = 86mΩ（典型值）@ VGS = -2.5V。100%雪崩测试。可靠且耐用。提供无卤和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC/DC转换器中的电源管理。负载开关 | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.273nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 111pF | |
| 封装/外壳 | TO-252-2L |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量： 个
