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对比
HMMUN2233LT1G
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SOT-23
- 品牌名称HXY MOSFET
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商品型号
HMMUN2233LT1G -
商品编号
HMMUN2233LT1G -
商品封装
SOT-23 -
分类
数字晶体管
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 产品类型 | 这款数字晶体管，内置1个预偏置NPN结构，特别适合数字电路应用。集射极击穿电压高达50V，保证了良好的安全性与稳定性。集电极电流能力达到100mA，功率消耗低至246mW，非常适用于低功耗、高效能的电子设计，如逻辑电路、信号放大及电源管理模块。它的小巧高效，为您的电子创新项目提供可靠动力，提升系统性能。 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 200 | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 0.1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
梯度
含税售价
20+￥0.1214
200+￥0.0933
600+￥0.0776
3000+￥0.0683
9000+￥0.0601
21000+￥0.0558
库存总量
(单位：5900个)-
仓库库存数量
5900
购买数量
个
起订量：20 个
