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07N60S5 TO252-VB
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07N60S5 TO252-VB

  • TO-252

  • 品牌名称VBsemi
  • 商品型号

    07N60S5 TO252-VB
  • 商品编号

    07N60S5 TO252-VB
  • 商品封装

    TO-252
  • 分类

    场效应管(MOSFET)

  • 商品参数

属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
产品类型 TO252;N—Channel沟道,650V;7A;RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id) 7A
导通电阻(RDS(on)) 700mΩ@10V
耗散功率(Pd) 83W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 25nC@10V
输入电容(Ciss) 360pF
反向传输电容(Crss) 12pF
工作温度 -55℃~+150℃
类型 N沟道
输出电容(Coss) 25pF
封装/外壳 TO-252

数据手册PDF

梯度
含税售价
10+¥3.679
100+¥3.396
500+¥3.2545
1000+¥3.1696
2000+¥3.113

库存总量

(单位:2500个)
  • 仓库库存数量

    2500

购买数量

个
起订量:10 个
总价金额: ¥ 36.790

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