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对比
09N03L-VB
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TO-252
- 品牌名称VBsemi
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商品型号
09N03L-VB -
商品编号
09N03L-VB -
商品封装
TO-252 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V； | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 525pF | |
| 封装/外壳 | TO-252 |
梯度
含税售价
10+￥1.339
100+￥1.236
500+￥1.1845
1000+￥1.1536
2000+￥1.133
库存总量
(单位：2500个)-
仓库库存数量
2500
购买数量
个
起订量：10 个
