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对比
11N65C3-VB TO220F
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TO-220F
- 品牌名称VBsemi
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商品型号
11N65C3-VB TO220F -
商品编号
11N65C3-VB TO220F -
商品封装
TO-220F -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=170mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V； | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.414nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF | |
| 封装/外壳 | TO-220F |
梯度
含税售价
10+￥5.512
100+￥5.088
500+￥4.876
1000+￥4.7488
2000+￥4.664
库存总量
(单位：1000个)-
仓库库存数量
1000
购买数量
个
起订量：10 个
