收藏网址
|
0731-111111
|
18574781111
|
专属客服

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

10N15
商品缩略图
商品缩略图
商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

  • 收藏
    收藏
  • 对比
    对比

10N15

  • TO-252

  • 品牌名称HL
  • 商品型号

    10N15
  • 商品编号

    10N15
  • 商品封装

    TO-252
  • 分类

    场效应管(MOSFET)

  • 商品参数

属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
产品类型 MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 150阈值电压VGS:±20V th(V):1~2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):268-290连续漏极电流ID(A):10A
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 150V
连续漏极电流(Id) 10A
导通电阻(RDS(on)) 348mΩ@10V
耗散功率(Pd) 1.5W
阈值电压(Vgs(th)) 2.5V
栅极电荷量(Qg) 18nC
输入电容(Ciss) 565pF
工作温度 -55℃~+150℃
类型 N沟道
封装/外壳 TO-252

数据手册PDF

梯度
含税售价
5+¥0.8002
50+¥0.6562
150+¥0.5842
500+¥0.5302
2500+¥0.4177
5000+¥0.396

库存总量

(单位:1190个)
  • 仓库库存数量

    1190

购买数量

个
起订量:5 个
总价金额: ¥ 4.0010

热门推荐

© 2026 好的 版权所有